陈一峰
- 作品数：69 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术农业科学文化科学更多>>
- 基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法
- 本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中...
- 李顺芬陈小刚王玉婵陈一峰许林海周密宋志棠
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- 一种相变存储器多级存储系统及方法
- 本发明涉及一种相变存储器多级存储系统该系统包括由若干个相变存储单元（511、512）构成的相变存储阵列（510）、与所述相变存储阵列相连的行译码器（520）、列译码器（530）、写驱动电路（730）以及读出功能电路（72...
- 许林海陈小刚陈一峰李顺芬丁晟陈后鹏宋志棠
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- 存储器的分块管理方法
- 本发明提供一种存储器的分块管理方法。根据本发明的方法，先将存储器包含的各存储块均分为至少两个子存储块，并在每一子存储块中设置一记录空间；随后，基于每一子存储块的记录空间中的写次数来确定是否对子存储块进行拆分和/或对存储块...
- 周密陈小刚李顺芬陈一峰李鸽子陈后鹏宋志棠
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- 基于单存储器的嵌入式设备的启动系统
- 本发明提供一种基于单存储器的嵌入式设备的启动系统，其至少包括：中央处理器，系统总线，外围总线设备，以及一单类型存储器，其中，所述单类型存储器通过所述系统总线与所述中央处理器连接，所述单类型存储器划分有启动程序存储区、内核...
- 李顺芬陈小刚陈一峰许林海陈后鹏金荣宋志棠
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- 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
- 本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生...
- 王月青蔡道林陈一峰宋志棠魏宏阳霍如如
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- 相变存储器及其制备方法
- 本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位...
- 王玉婵陈小刚陈一峰王月青宋志棠刘波
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- 相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法
- 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二...
- 卢瑶瑶蔡道林陈一峰闫帅宋志棠吴磊刘源广李阳
- 一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
- 2011年
- 基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。
- 陈一峰宋志棠陈小刚陈后鹏刘波白宁陈邦明吴关平谢志峰杨左娅
- 关键词：相变存储器非易失性存储器
- 一种1kb相变存储芯片的设计被引量：1
- 2011年
- 以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。
- 丁晟宋志棠陈后鹏蔡道林陈一峰王倩陈小刚刘波谢志峰
- 关键词：存储器相变存储器
- 基于PCRAM主存应用的内存管理方法
- 本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法，应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中，该内存管理方法是：将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存，系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存；于C...
- 陈小刚李顺芬陈一峰许林海陈后鹏丁晟宋志棠
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