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陈一峰

作品数：69 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术农业科学文化科学更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 54篇存储器
  • 39篇相变存储
  • 37篇相变存储器
  • 12篇相变
  • 11篇嵌入式
  • 11篇脉冲
  • 10篇电路
  • 10篇写操作
  • 8篇电流
  • 7篇电阻
  • 6篇电压
  • 6篇休眠
  • 6篇嵌入式系统
  • 6篇架构
  • 6篇存储架构
  • 5篇阻值
  • 5篇备份
  • 5篇存储阵列
  • 4篇单脉冲
  • 4篇电流测试

机构

  • 69篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇中芯国际集成...
  • 1篇科技公司

作者

  • 69篇陈一峰
  • 68篇宋志棠
  • 37篇蔡道林
  • 36篇陈小刚
  • 32篇陈后鹏
  • 21篇许林海
  • 20篇李顺芬
  • 17篇卢瑶瑶
  • 15篇王月青
  • 14篇王玉婵
  • 13篇丁晟
  • 9篇李喜
  • 9篇魏宏阳
  • 8篇周密
  • 8篇刘波
  • 5篇金荣
  • 4篇王倩
  • 4篇李鸽子
  • 4篇宏潇
  • 3篇饶峰

传媒

  • 4篇微电子学
  • 2篇半导体光电
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 9篇2018
  • 4篇2017
  • 8篇2016
  • 12篇2015
  • 3篇2014
  • 11篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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一种相变存储的快速擦写操作方法
本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的...
宏潇陈后鹏宋志棠陈一峰
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相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法
本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以...
闫帅蔡道林薛媛宋志棠陈一峰卢瑶瑶吴磊刘源广李阳
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基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法
本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中...
李顺芬陈小刚王玉婵陈一峰许林海周密宋志棠
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一种相变存储器多级存储系统及方法
本发明涉及一种相变存储器多级存储系统该系统包括由若干个相变存储单元（511、512）构成的相变存储阵列（510）、与所述相变存储阵列相连的行译码器（520）、列译码器（530）、写驱动电路（730）以及读出功能电路（72...
许林海陈小刚陈一峰李顺芬丁晟陈后鹏宋志棠
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基于PCRAM主存应用的内存管理方法
本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法，应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中，该内存管理方法是：将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存，系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存；于C...
陈小刚李顺芬陈一峰许林海陈后鹏丁晟宋志棠
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存储器的分块管理方法
本发明提供一种存储器的分块管理方法。根据本发明的方法，先将存储器包含的各存储块均分为至少两个子存储块，并在每一子存储块中设置一记录空间；随后，基于每一子存储块的记录空间中的写次数来确定是否对子存储块进行拆分和/或对存储块...
周密陈小刚李顺芬陈一峰李鸽子陈后鹏宋志棠
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基于单存储器的嵌入式设备的启动系统
本发明提供一种基于单存储器的嵌入式设备的启动系统，其至少包括：中央处理器，系统总线，外围总线设备，以及一单类型存储器，其中，所述单类型存储器通过所述系统总线与所述中央处理器连接，所述单类型存储器划分有启动程序存储区、内核...
李顺芬陈小刚陈一峰许林海陈后鹏金荣宋志棠
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相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生...
王月青蔡道林陈一峰宋志棠魏宏阳霍如如
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相变存储器及其制备方法
本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位...
王玉婵陈小刚陈一峰王月青宋志棠刘波
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相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法
本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二...
卢瑶瑶蔡道林陈一峰闫帅宋志棠吴磊刘源广李阳
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