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颜雷

作品数：18 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇钛酸
  • 7篇半导体
  • 7篇P-N结
  • 6篇电子学
  • 6篇钛酸钡
  • 5篇电子器件
  • 5篇砷化镓
  • 5篇钛酸锶
  • 5篇锰
  • 5篇掺杂
  • 5篇磁测量
  • 4篇半导体材料
  • 4篇氧
  • 3篇镧
  • 2篇阵列式
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇激光分子束外...
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延

机构

  • 18篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 18篇颜雷
  • 16篇吕惠宾
  • 16篇陈正豪
  • 15篇杨国桢
  • 15篇周岳亮
  • 9篇戴守愚
  • 7篇郭海中
  • 7篇谈国太
  • 7篇陈凡
  • 7篇何萌
  • 7篇相文峰
  • 6篇刘立峰
  • 5篇戴永愚
  • 2篇丁洪
  • 1篇王淑芳
  • 1篇崔大复
  • 1篇赵彤
  • 1篇刘丽峰
  • 1篇许加迪

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇第六届全国超...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 2篇2008
  • 5篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2002
  • 1篇2001
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
巨磁阻器件单元阵列式排列的掺杂钛酸钡巨磁阻器件及制法
本发明涉及具有阵列式排列的掺杂钛酸钡巨磁阻器件，包括：衬底和在衬底上设置的p-n结结构，它由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层，或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在所述的衬底上组成；一对电极分别设置...
吕惠宾颜雷陈正豪戴永愚郭海中刘立峰相文峰何萌周岳亮杨国桢
文献传递
掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件及制备方法
本发明涉及一种具有p－n结结构的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括：衬底、电极、引线；在衬底上至少有一个或一个以上p－n结结构，该p－n结结构有一p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸锶层与n型掺杂钛酸锶和p型掺杂镧锰氧层...
吕惠宾陈正豪颜雷戴永愚刘立峰相文峰郭海中何萌周岳亮杨国桢
文献传递
Nb掺杂BaTiO_3薄膜的激光分子束外延及其特性
2002年
用激光分子束外延方法在ＳｒＴｉＯ３(１００)基底上外延生长了ＢａＮｂｘＴｉ１－ｘＯ３(０．０１≤ｘ≤０．０３)导电薄膜．原子力显微镜测得ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜表面均方根粗糙度在２μｍ×２μｍ范围内为２．４(?),达到原子尺度光滑．霍尔测量表明ＢａＮｂｘＴｉ１-ｘＯ３薄膜为ｎ型导电薄膜;在室温下,ＢａＮｂ０．０２Ｔｉ０．９８Ｏ３、ＢａＮｂ０．２Ｔｉ０．８Ｏ３和ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜的电阻率分别为２．４３×１０－４Ω·ｃｍ、１．９８×１０－４Ω·ｃｍ和１．２９７×１０－４Ω·ｃｍ,载流子浓度分别为５．９×１０２１ｃｍ－１、６．３７×１０２１ｃｍ－１和９．９×１０２ｌｃｍ-１．
颜雷吕惠宾戴守愚陈正豪陈凡赵彤杨国桢
掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件
本实用新型涉及一种具有p－n结结构的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括：衬底、电极和引线；其特征在于：在衬底上至少有一个或一个以上p－n结结构，该p－n结结构有一p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸锶层与n型掺杂钛酸锶和...
吕惠宾陈正豪颜雷戴永愚刘立峰相文峰郭海中何萌周岳亮杨国桢
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掺杂钛酸钡巨磁阻器件及制备方法
本发明涉及一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括：衬底、电极和引线和至少设置1个p－n结结构，该p－n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层，或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成...
吕惠宾颜雷陈正豪戴永愚郭海中刘立峰相文峰何萌周岳亮杨国桢
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半导体和锰酸镧p－n结
本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p－n结。本发明将p型锰酸镧La<Sub>1－x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub>薄膜材料(其中A是Ca或Sr或Ba或Pb或Sn)或n型锰酸镧L...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
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高温超导薄膜纳米桥结制备方法
本发明涉及高温超导薄膜纳米桥结制备方法。根据一实施例，一种制备高温超导薄膜纳米桥结的方法可包括：提供掩模板，所述掩模板具有用于定义将要形成的高温超导薄膜纳米桥结的形状的开口图案；用所述掩模板覆盖衬底；在所述掩模板上沉积高...
芦佳颜雷丁洪
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半导体和钛酸锶p－n结
本发明涉及电子学领域，特别是涉及一系列新型p-n结。本发明提供的半导体和钛酸锶p-n结，其特征在于：n型和p型的半导体为掺杂的硅或锗或砷化镓；n型钛酸锶SrA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>O<S...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
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半导体和钙钛矿结构氧化物p－n结
本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p－n结。本发明将n型或p型的钙钛矿结构氧化物(选择掺杂的钛酸钡或钛酸锶或锰酸镧)与n型或p型的半导体材料(选择掺杂的硅或锗或砷化镓)进行叠层生长,制备成半导体和钙钛矿结构氧化物...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
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用脉冲激光沉积法制备大面积YBCO超导薄膜
利用自行设计和研制的大面积基片加热装置,采用脉冲激光沉积方法,成功地在φ43mm的LaAlO<,3>衬底上制备出YBCO超导薄膜.薄膜的零电阻温度Tc<'0>为90～92K;77K时临界电流密度Jc=1.2-2.66×1...
何萌周岳亮许加迪陈正豪王淑芳颜雷崔大复吕惠宾杨国桢
关键词：超导薄膜脉冲激光沉积
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