高一星
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 额定电流3200A的10kV HPT IGCT——大功率半导体发展的一个新的里程碑
- 2010年
- 本文介绍了一种新研发的10kV集成栅控晶闸管(IGCT)芯片,其耐压和电流容量是目前市场上可用IGCT中最大的。这种器件在GCT晶片设计上做了改进,使其电流容量超过3200A。另外,为了避免采用标准高压二极管常遇到的反向促恢复问题,还研发了一种与IGCT相匹配的10kV快恢复二极管。
- 高一星查祎英胡冬青
- 关键词：IGCT高压二极管大功率半导体
- 高压IGBT的动态雪崩问题被引量：2
- 2012年
- 本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制造坚固性强的高压IGBT是至关重要的。
- 李兴鲁吴郁查祎英高一星
- 关键词：IGBT
- 功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟被引量：5
- 2012年
- 在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲层可改善器件二次击穿电压,据此提出一种多缓冲层结构,通过优化掺杂浓度和厚度,使器件的抗SEB能力得到了显著提高。仿真结果显示,采用三缓冲层结构,二次击穿电压近似为无缓冲结构的3倍,负阻转折临界电流提高近30倍。
- 高一星胡冬青贾云鹏吴郁
- 一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件
- 2010年
- 新型CoolMOS^(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Q_(rr)和t_(rr)的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这种具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。
- G.AloiseM.-A.KutschakD.Zipprick H.KapelsA.Ludsteck-Pechloff查祎英高一星胡冬青
- 关键词：硬开关功率MOSFETCFD技术阻断电压
- 一种无源无损钳位的新型单级PFC变换器被引量：1
- 2013年
- 提出了一种新型反激式单级PFC变换器结构,它采用"直接能量传输(DPT)"来提高变换效率、抑制电容电压,并通过引入无源无损钳位的LCD电路来吸收利用漏感能量、钳位开关电压,进而从整体上提高变换器的性能。实验结果显示,它在保持中间储能电容电压Vd小于300 V,开关电压应力VS1低于450 V的情况下吸收利用漏感能量,使变换效率η提高约1.4%。证明了这种结构在解决单级PFC变换器当前所遇问题上的有效性。
- 高一星胡冬青李立周东海
- 关键词：功率因数校正反激变换器
- 单级功率因数校正技术的研究
- 在现代电力电子技术中，桥式整流加电容滤波作为一个成熟的电路结构被广泛应用于开关电源的前端，它使输入电流发生明显畸变，向电网引入了大量谐波，不但造成了能量的浪费，还会影响其它设备的可靠运行，因此必须进行功率因数校正，减少谐...
- 高一星
- 关键词：功率因数校正反激变换器BOOST变换器
- 文献传递
- 快恢复二极管动态雪崩问题及技术发展被引量：3
- 2012年
- 综述了硅高压功率快恢复二极管抗动态雪崩技术的发展,包括快恢复二极管发生3种不同程度的动态雪崩的过程和原理,提高了快恢复二极管动态雪崩抗性的技术,完善其原理,并对其优点与不足进行了分析。
- 查祎英吴郁李兴鲁高一星
- 关键词：二极管功率器件
