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余林蔚

作品数：109 被引量：12H指数：3
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 92篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 8篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇轻工技术与工...
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇天文地球

主题

  • 74篇纳米
  • 66篇纳米线
  • 19篇刻蚀
  • 18篇半导体
  • 16篇线阵列
  • 15篇金属
  • 14篇非晶
  • 13篇晶体管
  • 12篇晶态
  • 11篇阵列
  • 11篇硅纳米线
  • 11篇场效应
  • 10篇导体
  • 10篇纳米线阵列
  • 10篇沟道
  • 9篇光电
  • 8篇淀积
  • 8篇选择性刻蚀
  • 8篇非晶半导体
  • 7篇电极

机构

  • 109篇南京大学
  • 1篇学研究院

作者

  • 109篇余林蔚
  • 71篇王军转
  • 22篇徐骏
  • 20篇陈坤基
  • 15篇李伟
  • 12篇徐岭
  • 10篇黄信凡
  • 8篇施毅
  • 8篇李成栋
  • 6篇孙莹
  • 5篇王久敏
  • 5篇宋捷
  • 5篇许明坤
  • 4篇刘奎
  • 4篇于忠卫
  • 4篇张晓伟
  • 4篇丁宏林
  • 4篇张培
  • 4篇刘川
  • 3篇吴良才

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇中央民族大学...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 5篇2024
  • 6篇2023
  • 9篇2022
  • 21篇2021
  • 11篇2020
  • 11篇2019
  • 6篇2018
  • 12篇2017
  • 4篇2016
  • 7篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
共 109 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法
本发明公开一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法，包括以下几个步骤：第一步，在目标衬底上定义掩模阵列；第二步，沿掩模阵列侧壁的轴向平行刻蚀一组预设间距的平行凹槽阵列的柱阵列；第三步，定义催化颗粒沉积区域，并...
余林蔚
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平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法
本发明属于半导体技术领域，公开了一种平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法，本发明是通过分区淀积叠层非晶锗硅前驱体生长出可精确定位的分区超晶格纳米线，通过光刻或者EBL的方法在超晶格区域的纳米线两侧做源漏电极，接着根据...
余林蔚刘帅帅王军转
FinFET沟道表面氢热处理的优化研究
王刚汪煜王军转潘力佳余林蔚郑有炓施毅
一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法
一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生...
余林蔚王吉米薛兆国王军转徐骏
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一种基于异质叠层非晶薄膜供给的平面锗硅及相关纳米线生长形貌和组分调控的方法
一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，以硅锗体系为例，通过非晶硅(a‑Si)/非晶锗(a‑Ge)叠层薄膜作为前驱体，制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构，采用叠层非晶薄膜作为前驱体层，通过金属液滴的吸...
余林蔚赵耀龙王军转
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一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法
本发明公开一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法，包括以下几个步骤：S1：将制得的硅纳米螺旋结构样品放入浓度为0.4%的氢氟酸溶液中，使氧化硅柱快速溶解，得到含有若干笼状螺旋状硅纳米线的混合液；S2：多次过滤、清...
余林蔚袁荣荣刘宗光马海光王军转
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气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法
气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H<Sub>2</Sub>)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；...
余林蔚陈坤基李伟徐骏黄信凡宋捷李雪飞马忠元徐岭
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基于可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法
可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法，1)利用光刻、电子束直写或掩模板技术在硅/二氧化硅衬底上定义所需的平面图案，利用电感耦合等离子体ICP刻蚀或者反应离子体刻蚀RIE技术刻蚀有台阶的引导沟道；2)利用...
余林蔚刘川马海光王军转王肖沐
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一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法
本发明涉及一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法，该方法借助选择性刻蚀和沉积技术，以诱导金属纳米颗粒为引导颗粒，采用热蒸发或EBE方法有效控制引导颗粒的尺寸，采用IPSLS纳米线生长模式制备嵌入式跨表面生长三维...
余林蔚袁荣荣马海光
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一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法
本发明公开了一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法，包括如下步骤：1）采用旋涂的方法在衬底上旋涂一层电刻胶；2）利用电子束直写对预设形状的无掩膜图案进行曝光，电刻胶变性成为二氧化硅，曝光后形成由宽激活生长区域沟道和...
余林蔚钱文涛梁逸飞王军转
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