2025年1月24日
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刘从吉
作品数:
24
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西南技术物理研究所
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相关领域:
电子电信
化学工程
机械工程
金属学及工艺
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合作作者
曾璞
西南技术物理研究所
赖冬寅
西南技术物理研究所
王鸥
西南技术物理研究所
钱煜
西南技术物理研究所
胡卫英
西南技术物理研究所
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机构
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作者
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刘从吉
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曾璞
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王鸥
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赖冬寅
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1篇
2011
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多象限光电探测器高低温测试系统
本发明一种多象限光电探测器高低温测试系统,用于测试多象限光电探测器在高低温条件下的电参数。它包括,一个电连接直流稳压电源的示波器,内置测试夹具的高低温箱,在示波器与所述高低温箱之间,电连接有一个带有选通控制面板的选通电路...
钱煜
余永琦
周小燕
苏洁梅
王鸥
李潇
郭勇
周红轮
何伟
祁祖峰
向秋澄
柯尊贵
刘从吉
胡卫英
文献传递
一种提高硅APD制结工艺精度的方法
本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法,其中,包括:活性区p、正面接触层n<Sup>+</Sup>、背面接触层p<Sup>+</Sup>制结工艺温度依次降低,工艺时间依次减少,以减少多步高温工艺对结深造成误差积累;...
邓杰
王鸥
李潇
郝昕
余丽波
谢修敏
刘从吉
宋海智
氢退火工艺对非晶硅光学性能的影响
2022年
阐述利用等离子化学气相沉积制备了非晶硅材料,然后在不同浓度的氢气气氛下进行了等离子退火处理,并对其折射率,消光系数和傅立叶红外吸收谱进行了测试分析。结果显示,不同浓度的氢气氛等离子退火处理对非晶硅材料的光学性能有影响。
曾璞
罗杰平
刘从吉
罗丹
袁菲
罗辉
王兴伦
王路
钱煜
关晟
关键词:
非晶硅
退火
折射率
消光系数
光敏芯片钝化结构
本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧...
王鸥
邱月瓴
曾璞
刘小会
周红轮
胡卫英
刘从吉
罗成思
文献传递
一种改善探测器芯片清洗工艺碎片的工装夹具
本发明涉及一种改善探测器芯片清洗工艺碎片的工装夹具,属于芯片制造领域。本发明的工装夹具的清洗舟高度为65mm,为50mm直径的硅片留有足够的空间;所述清洗舟的顶部设置一个压条,使得硅片在清洗的过程中被限制在了清洗舟内部;...
刘从吉
蒲勋
胡卫英
王鸥
周红轮
钱煜
曾璞
文献传递
一种GD414C硅橡胶电阻率改变方法
本发明公开了一种GD414C硅橡胶电阻率改变方法,其包括如下步骤:S1:加热真空室;S2:将未固化的硅橡胶GD414C放置于真空室内,并通入高纯氮气;S3:保持真空室的温度和压强,等待硅橡胶完全固化后,自然冷却取出。本发...
罗杰平
曾璞
刘从吉
陈君润
郑皓予
龚磊
关晟
张伟
一种非晶硅材料电阻率调节方法
本发明涉及一种简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法,其中,包括:采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅材料,平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上,射频电压加在上下平行板之间;反应腔体内采用热丝控制气体温度...
曾璞
陈方军
刘从吉
公丕华
赖冬寅
王万祎
梁松林
周忠燕
李刚
陈君润
文献传递
一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法
本发明公开了一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法,其包括如下步骤:S1:将GD414C硅橡胶样品放置于真空室中的样品台上,将真空室抽真空;S2:真空室加热至85℃;S3:样品台4底部和上方的电压平板加电压,并通过样品...
曾璞
刘从吉
罗杰平
龚磊
陈方军
公丕华
赖冬寅
王万祎
周忠燕
胡少沛
李刚
余吉庆
陈君润
文献传递
一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法
本发明属于固体激光器技术领域,具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间,然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间,共同区间的最小封锁电压...
曾璞
罗杰平
温锋
张伟
周忠燕
罗辉
刘从吉
陈君润
袁菲
余吉庆
胡少沛
王杰
刘海淞
张祎景
石磊
郑皓予
赖冬寅
龚磊
一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置
本发明公开了一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置,包括:高温炉体(1)、程序温控系统(2)、高纯石英腔体(3)、气流稳压系统(4)和排风系统(5),高纯石英腔体(3)布置在高温炉体(1)上,待成膜固化半导体芯片布置在高纯石...
邱月瓴
刘期斌
苏洁梅
刘小会
林鹏
姜滔
何永攀
郑皓予
刘从吉
胡卫英
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