刘利宾
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种10位50MHz流水线模数转换器的设计被引量：2
- 2012年
- 采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2。测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB。输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB。
- 王林锋周建伟甘小伟刘利宾邢少川
- 关键词：流水线模数转换器采样保持电路运算放大器自举开关增益自举
- GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究被引量：2
- 2012年
- 钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W-CMP速率的影响。最后通过正交优化实验,确定抛光液最优配比为V(纳米SiO2水溶胶)∶V(去离子水)=1∶1,氧化剂体积分数为20 mL/L,pH调节剂体积分数为4 mL/L,表面活性剂体积分数为20 mL/L时,此时抛光液的pH值为10.36,获得的去除速率为85 nm/min,表面粗糙度为0.20 nm。
- 林娜娜邢哲刘玉岭孙鸣刘利宾
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液去除速率
- 有机胺碱对硅粗抛光及表面微形貌的影响
- 2011年
- 硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值。实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大后减小。pH值在10.5左右时去除速率达到最大值(1706nm/min)。此时用Agilent 5600LS型原子力显微镜测得硅片表面的粗糙度为0.369nm。并用马尔文Zetasizer 3000HSA纳米粒度分析仪测定不同有机胺碱浓度下的抛光液中水溶胶磨粒粒径变化。通过对实验后晶片表面进行检测并结合去除速率综合考虑,抛光液pH值宜选择为10.5左右。抛光速率在pH值为10.3～10.6比较稳定。
- 王娜刘玉岭孙鸣杨立兵高净刘利宾
- 关键词：硅单晶片抛光液抛光速率表面粗糙度
- 硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究被引量：1
- 2011年
- 针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌。最后对5个关键参数进行了优化。结果表明:当压力为0.10 MPa,转速为80 rad/min,pH值为11.2,磨料与去离子水体积比为1∶0.5,表面活性剂体积浓度为9 mL/L时,硬盘基板的去除速率为27 mg/min,粗抛后表面粗糙度为0.281 nm,获得了高的去除速率和较好的表面粗糙度,这样会大大降低精抛的时间,有利于抛光效率的提高。
- 刘利宾刘玉岭王胜利林娜娜杨立兵
- 关键词：粗糙度去除速率
- 计算机硬磁盘基片化学机械抛光机理与技术研究
- 王胜利檀柏梅李振霞牛新环高宝红田雨杨立兵刘利宾项霞
- 随着计算机硬盘存储密度大幅度增加，硬盘的存储容量飞速扩大，硬盘磁头的飞行高度进一步降低，必须对硬磁盘基片进行平坦化，以降低表面粗糙度和波纹度，同时必须消除凹坑、突起、划痕等表面缺陷。要求硬磁盘基片表面粗糙度和波纹度达到埃...
- 关键词：
- 关键词：计算机硬盘机械抛光
