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刘小阳

作品数：11 被引量：17H指数：2
供职机构：华南理工大学机械与汽车工程学院机械电子工程系更多>>
发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 7篇XN
  • 6篇PECVD法
  • 6篇SIO
  • 5篇介质膜
  • 3篇能谱
  • 3篇光谱
  • 3篇红外
  • 3篇俄歇电子
  • 3篇俄歇电子能谱
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电学性能
  • 2篇氧化硅
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米级
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光谱
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇PECVD

机构

  • 11篇华南理工大学
  • 3篇中华人民共和...
  • 2篇四通公司
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 11篇刘小阳
  • 10篇陈蒲生
  • 6篇冯文修
  • 5篇王川
  • 5篇张昊
  • 3篇曾绍鸿
  • 2篇田小峰
  • 1篇刘剑
  • 1篇王枫红
  • 1篇陈炽坤
  • 1篇陈闽捷
  • 1篇章晓文
  • 1篇黄世平

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇华南理工大学...
  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...
  • 1篇纪念中国工程...

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1997
  • 2篇1995
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PECVD法低温形成新型SiO_xN_y薄膜的界面特性研究被引量：2
1997年
研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成新型SIOxNy薄膜的界面特性。研究侧重于PECVDSiOxNy薄膜良好界面特性的控制，探索出界面特性与微观组份、衬底工作温度、反应室气压、退火致密、金属化后退火的相互关系。同时给出了获取界面等特性优良的PECVDSiOxNy薄膜的最优化工艺条件，并对实验结果进行了理论分析与讨论。
陈蒲生王川冯文修王锋刘小阳田万廷
关键词：介质膜PECVD半导体薄膜
富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性被引量：1
2001年
通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .
陈蒲生张昊冯文修田小峰刘小阳曾绍鸿
关键词：俄歇电子能谱红外光谱电学参数
低温PECVD法形成纳米级介质膜微观结构研究被引量：1
2004年
采用俄歇电子能谱 ( AES)和傅里叶红外光谱 ( FTIR)分析低温 PECVD法形成纳米级 Si Ox Ny 介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系 ,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。研究结果表明 :该介质膜中氮、氧等元素均匀分布 ,界面处元素含量变化激烈 ;高、低反应气压变化对膜内微观组分影响有异 ;该薄膜是既含有类似 Si3N4 、又含有类似 Si O2 的非晶状态 ,呈现无序网络结构 ;随着含氮量或含氧量的增多 ,该膜分别向Si3N4 或 Si O2 成分较多的结构转化 ;优化制膜工艺形成的富氮 Si Ox Ny 膜的性能与结构方面得到提高。
陈蒲生陈闽捷张昊刘小阳王锋
关键词：介质膜俄歇电子能谱傅里叶红外光谱电学性能
用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性被引量：4
1997年
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．
陈蒲生冯文修王川王锋刘小阳田万廷曾绍鸿
关键词：PECVD法半导体薄膜技术
用俄歇能谱研究热氮化SiO_2膜中氮原子的扩散
1995年
应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅（ＲＴＮＳｉＯ２）薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅（ＰＮＡＳｉＯ２）薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜厚度约为６０ｎｍ。分析结果发现；１）氮原子在二氧化硅薄膜中的扩散范围受氧原子浓度的控制；２）热氮化二氧化硅薄膜经氧化退火处理后，氮原子浓度降低，分布变得平缓、均匀。
刘小阳陈蒲生王川黄世平
关键词：热氮化氮原子二氧化硅
拉延冲压件表面图案的电脑辅助设计
冲压是一种常见的金属加工方法，在拉延冲压件表面平印或压印出图案可增加产品的美观改天玫家也常用其作为防伪标识。由于延伸压件在冲压后会产生变形，因此冲压前印刷出的图案也随之发生改变，该文将作者研制的拉延冲压件变形图案生成软件...
陈炽坤刘小阳王枫红
关键词：计算机辅助设计
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型被引量：2
2002年
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长 ,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到 Dit随雪崩热电子注入剂量增加而增大 ,禁带上半部 Dit的增大较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在 Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们能级位置及密度大小关系。揭示出 PECVD法形成的这种纳米膜与快速热氮化制备的薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化不一样 ,并从薄膜氮化机制予以物理解析。给出了 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 。
陈蒲生张昊冯文修章晓文刘小阳曾绍鸿
关键词：物理模型雪崩
PECVD法低温制备富氮的SiO_xN_y栅介质膜及其特性被引量：1
1995年
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试、俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测、Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已达到或接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。
陈蒲生王川刘小阳王岳曾绍鸿
关键词：电学特性光学特性氮氧化硅PECVD法
PECVD法低温制备SiO_xN_y薄膜微观组分的分析研究被引量：5
1997年
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜的光学特性和微观组分结构。
王锋陈蒲生王川刘小阳田万廷
关键词：PECVD法介质膜
PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析被引量：2
2002年
采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。
陈蒲生张昊冯文修刘剑刘小阳王锋
关键词：PECVD法俄歇电子能谱红外吸收光谱电学性能
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