刘静 作品数:148 被引量:353 H指数:9 供职机构: 西安理工大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家教育部博士点基金 陕西省教育厅科研计划项目 更多>> 相关领域: 电子电信 电气工程 自动化与计算机技术 文化科学 更多>>
一种利用PSO优化陷波器参数进行伺服共振抑制的方法 本发明公开了一种利用PSO优化陷波器参数进行伺服共振抑制的方法,通过检测伺服系统的共振频率,采用PSO算法设计并优化陷波滤波器参数,达到抑制共振的目的。本发明方法可有效解决陷波器由于参数耦合导致难以整定的问题,既发挥了P... 尹忠刚 巩磊 杜超 刘静 钟彦儒基于免疫算法的PMSM高频电压方波注入转速估计方法 本发明公开了一种基于免疫算法的PMSM高频电压方波注入转速估计方法,具体按照以下步骤实施:步骤1:在估计旋转坐标系中注入高频电压方波信号,使用基于免疫算法在线优化的高通滤波器提取高频方波电压信号对应的高频电流响应;步骤2... 尹忠刚 张彦平 张延庆 刘静 钟彦儒文献传递 门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究 被引量:1 2008年 简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿。从而指出以往对GCT击穿机理的认识存在局限性。 王彩琳 高勇 马丽 刘静关键词:电力半导体器件 门极换流晶闸管 透明阳极 击穿 基于固有频率与预报校正的高压直流输电线路测距与保护 随着智能电网的持续建设,高电压、大容量的直流输电在电网安全稳定运行中发挥着日益重要的作用。然而直流线路往往长达几十上千公里,途经复杂地形乃至恶劣环境,发生线路故障的风险极大,而且故障位置的查找异常不易,若不能及时清除故障... 刘静关键词:固有频率 高压直流输电 故障测距 基于希尔伯特——黄变换的高压直流线路行波故障定位 被引量:4 2014年 提出了基于希尔伯特-黄变换(HHT)的直流输电线路行波故障定位的方法。首先,对故障初始行波信号进行经验模态分解(EMD)得到固有模态函数(IMF),然后通过对IMF进行希尔伯特(Hilbert)变换得出其时频图,根据时频图中首个频率突变点确定出故障初始行波到达的时刻并且由其对应的瞬时频率值计算其波速度。最后,利用改进的双端行波故障定位原理计算出故障距离。在EMTDC环境下进行仿真分析,相关结果证实了所提方法的有效性。 陆海龙 段建东 刘静关键词:行波 故障定位 经验模态分解 SiGe超快速软恢复功率开关二极管(英文) 2007年 SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管。与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性。30%Ge含量的SiGe二极管反向恢复时间比同结构的Si二极管缩了短四分之三,软度因子接近于1。这些性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率集成电路中。 马丽 高勇 刘静 余明斌关键词:SIGE/SI异质结 功率二极管 超快速 软恢复 沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究 2014年 提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性.结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中.对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度.沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变;侧墙宽度增加,频率性能降低. 刘静 武瑜 高勇关键词:SIGE异质结双极晶体管 TiO2-TiH2造孔制备多孔钛的研究 多孔钛的孔隙率、孔型、孔径和孔径分布处影响多孔钛力学性能和生物相容性的关键因素。多孔钛因提高孔隙率,减小弹性模量来避免应力屏蔽及相关问题的同时,导致强度的大幅降低。为制备满足生物移植对力学性能及生物适应性需求的多孔钛材料... 刘静关键词:放电等离子烧结 固溶强化 力学性能 文献传递 应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究 被引量:3 2008年 SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使器件内部自加热效应的减弱或消除成为提高器件温度特性的关键因素。对应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性机理进行研究,给出了三种缓解MOS-FET器件内部自加热效应的结构,并对其效果进行对比分析。结果表明:DSOI结构不适宜于低压全耗尽型SOI器件;Si3N4-DSOI结构对自加热的改善幅度较小;Si3N4埋层结构效果最好,尤其在低温领域改善更为明显。 刘静 高勇 黄媛媛关键词:自加热效应 热稳定性 驱动电流 基于快速有限时间控制的感应电机复合控制方法 本发明公开了基于快速有限时间控制的感应电机复合控制方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、在两相旋转坐标系下建立感应电机的数学模型,并对数学模型解耦,实现对感应电机的解耦控制;步骤2、根据有限时间控制理论设计感应电机矢量控制... 尹忠刚 高翌轩 高峰涛 刘静