化麒麟
- 作品数：15 被引量：41H指数：4
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- 相关领域：一般工业技术理学动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- 一种化学浴沉积制备氧化锌透明导电薄膜的方法
- 本发明涉及一种化学浴沉积制备氧化锌透明导电薄膜的方法，属于新型电子功能薄膜材料的制备技术领域。一种化学浴沉积制备氧化锌透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：Ⅰ)衬底预处理；Ⅱ)将Zn源溶液和Al源溶液混合置于开口烧杯中，使用...
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- 文献传递
- 脉冲磁控溅射制备硼掺杂氧化锌纳米薄膜的光学特性研究
- 2013年
- 采用脉冲磁控溅射法制备硼掺杂氧化锌（ZnO：B）纳米薄膜，研究了其结构和光学特性，经XRD分析，ZnO：B为多晶纳米薄膜，具有六方钎锌矿结构，薄膜沿着c轴取向择优生长。薄膜在可见光和近红外光谱区的透光性很好，其中在可见光区的平均透光率可达84％以上，而在近红外区的透光率随着波长增加而逐渐降低至45％。在可见光区，ZnO：B纳米薄膜的光学常数随波长的变化很小且数值基本趋于恒定，而在紫外区，光学常数随波长的变化很明显，并且在367nm和397nm附近存在两个紫外发光峰。
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- 关键词：ZNO透射光谱光学常数光致发光
- 衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响
- 2015年
- 利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N_2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射(XRD)仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果表明:单晶硅衬底有利于α-Si/Al膜的晶化;衬底温度从室温到200℃之间逐渐升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;随着温度进一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。单晶硅衬底上200℃时α-Si/Al膜可直接晶化。通过计算,得出衬底参数对薄膜的晶相比、晶粒尺寸、带隙及界面体积分数的调制关系。
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- 关键词：衬底非晶硅退火晶化
- 基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展被引量：9
- 2015年
- 基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展。重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法。其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率。此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望。
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- 富硅氮化硅薄膜的制备及其光学带隙研究被引量：8
- 2012年
- 采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,利用共焦显微拉曼光谱仪比较了硅衬底、氮化硅薄膜退火前后的拉曼光谱。结果表明,氮气流量对薄膜的光学带隙影响较大,制备的薄膜主要为富硅氮化硅薄膜。原沉积薄膜的拉曼光谱存在明显的非晶硅和单晶硅峰,退火处理后非晶硅峰减弱或消失,表明薄膜出现明显的结晶化;单晶硅峰出现频移现象,表明薄膜中出现硅纳米颗粒,平均尺寸约为6.6 nm。
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- 关键词：磁控溅射拉曼光谱光学带隙
- 溅射时间对硼掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：8
- 2013年
- 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系。结果表明:ZnO∶B是多晶薄膜,具有六方钎锌矿结构且呈c轴择优取向,其透明导电性能优良,在可见光谱范围的平均透光率超过80%,薄膜电阻率随溅射时间延长而降低至3.0×10-3Ω·cm。
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- 关键词：光电特性透光率
- 溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响被引量：4
- 2013年
- 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80%,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比;折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92～2.09之间;在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10-3Ω.cm),且对应着小的光学带隙(Eg=3.463 eV)。
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- 关键词：溅射气压透过率
- 非晶硅薄膜的制备及晶化研究被引量：2
- 2013年
- 采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:在功率120W,气压1.5～2.5pa,时间为3.5～4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500～600℃间存在一最佳晶化温度。
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- 关键词：非晶硅薄膜磁控溅射铝诱导晶化多晶硅
- 太阳电池用硼掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究
- 氧化锌（ZnO）是一种新型的宽带隙II-VI族化合物半导体材料。掺杂ZnO体系（掺B、Al、Ga、In等）具有与ITO相比拟的光电特性，以及绿色环保、容易制备、成本低廉等优势，成为了一种颇具竞争力的透明导电薄膜材料。其中...
- 化麒麟
- 关键词：光电特性透明导电薄膜
- 文献传递
- 多层SiN_x/Si/SiN_x薄膜的微结构及其发光性能被引量：4
- 2013年
- 采用双极脉冲磁控反应溅射结合快速热处理技术在硅衬底表面制备多层SiNx/Si/SiNx薄膜。利用拉曼光谱和光致发光(PL)光谱研究退火处理对薄膜微结构及其发光性能的影响。拉曼测试结果表明薄膜经高温度退火处理后会出现晶态比为30%的单晶和非晶共存的硅纳米颗粒,其尺寸约为6.6nm;而光致发光谱的测试结果则表明薄膜中单晶硅和非晶硅纳米颗粒的尺寸分别为3.79nm和3.03nm;此外还发现薄膜的发光现象主要是由于缺陷态和量子点的量子限域效应的共同作用,并以缺陷态引起的发光为主。
- 林娟杨培志化麒麟
- 关键词：SI反应磁控溅射光致发光谱硅量子点
