张培
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
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- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- nc-Ge/SiO2复合薄膜的非线性光学特性
- 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Ge/SiO2复合薄膜。通过紫外-可见分光光度计的测量,计算出样品的光学带隙为1.12eV。采用皮秒激光脉冲单光束Z-扫描技术研究了nc-Ge/SiO2复合薄膜三阶非线性光...
- 张培王加贤王燕飞郭亨群吴志军
- 关键词：Z-扫描被动调Q
- 文献传递
- Ge/SiO_2薄膜的光学特性和应用研究
- Ge和Si都是间接带隙半导体材料,在光吸收和光发射方面与直接带隙材料相差甚远,这就影响了它在光电子方面的应用。人们为了突破体材料在光学特性方面的限制,在硅基质上制备了半导体量子点材料,这种纳米半导体材料,在光发射、光吸收...
- 张培
- 关键词：磁控反应溅射光致发光三阶非线性可饱和吸收
- 文献传递
- Ge,Al共掺SiO_2薄膜的发光性能研究被引量：1
- 2012年
- 用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因。实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率。
- 陈虎王加贤张培
- 关键词：光致发光PL谱磁控溅射
- 纳米Ge-SiO_2薄膜对1342nm激光的被动调Q被引量：2
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因.
- 王燕飞王加贤张培杨先才
- 关键词：激光技术被动调Q可饱和吸收体
- 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜的光学性质及其应用的研究被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射技术与热退火处理制备了纳米锗镶嵌二氧化硅(nc-Ge/SiO2)复合薄膜。对薄膜的光吸收谱进行分析,得到了纳米Ge晶粒的光学带隙。单光束Z-扫描的实验结果表明薄膜具有较强的可饱和吸收特性。将薄膜作为可饱和吸收体插入LD端面抽运的Nd:YVO4激光器内,分别实现1 342nm和1 064nm激光的被动调Q,得到脉宽分别为29ns和22ns的脉冲序列。理论分析认为,纳米Ge晶粒形成的界面态和缺陷态对1 342nm激光产生的饱和吸收作用,是导致被动调Q的主要原因。
- 林正怀张培王加贤
- 关键词：SIO2薄膜磁控溅射技术被动调Q
- nc-Ge/SiO_2薄膜的光发射和光吸收研究
- 2010年
- 采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/SiO2薄膜材料。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大,发现经过1 000℃退火后的薄膜具有三个明显的纳米锗衍射峰。薄膜的傅里叶红外吸收谱表明,随着退火温度的升高,薄膜的红外吸收增强。室温下,测量了不同温度退火下薄膜的光致发光谱,观察到了紫外光、紫光和橙色光。而且不同退火温度的薄膜,其光致发光谱有所不同,理论上着重讨论了紫光和橙光的发光机制。
- 张培王加贤王燕飞郭亨群吴志军
- 关键词：光吸收发光机制
- 纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
- 2011年
- 采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。
- 王燕飞王加贤张培杨先才沈海波
- 关键词：激光技术超晶格薄膜被动调Q双光子吸收
- Ge/SiO<sub>2</sub>薄膜的光学特性和应用研究
- Ge和Si都是间接带隙半导体材料,在光吸收和光发射方面与直接带隙材料相差甚远,这就影响了它在光电子方面的应用。人们为了突破体材料在光学特性方面的限制,在硅基质上制备了半导体量子点材料,这种纳米半导体材料,在光发射、光吸收...
- 张培
- 关键词：磁控反应溅射三阶非线性可饱和吸收
- 纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构。通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质。测试结果显示,在1 064nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收。把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06μm激光的被动调Q和被动锁模运转。与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲。最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理。
- 王加贤林正怀张培吴志军
- 关键词：被动调Q被动锁模
