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朱荣霞

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：中国航空科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇电流
  • 4篇电路
  • 4篇双极型
  • 4篇晶体管
  • 4篇集成电路
  • 2篇电流特性
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻特性
  • 2篇电阻阻值
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇修正系数
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇直流特性
  • 2篇数据文件
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇阻值
  • 2篇绝缘体上硅

机构

  • 8篇东南大学
  • 1篇中国空空导弹...

作者

  • 8篇朱荣霞
  • 7篇孙伟锋
  • 6篇时龙兴
  • 6篇陆生礼
  • 6篇刘斯扬
  • 4篇钱钦松
  • 4篇黄栋
  • 3篇张春伟
  • 2篇陈扬
  • 2篇宋慧滨
  • 1篇黄栋
  • 1篇王锦春
  • 1篇马德军

传媒

  • 1篇东南大学学报...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P型外延层，在P型外延层内部设有P型缓冲阱区、N型体区和P型中心缓冲阱区，在P型缓冲阱区内设有N型漏区，在N型体区中设...
孙伟锋陈扬朱荣霞刘斯扬钱钦松陆生礼时龙兴
一种集成电路用三端电阻阻值的测量方法
本发明公开了一种集成电路用三端电阻阻值的测量方法，包括以下步骤：步骤10)建立集成电路用三端电阻的宏模型；步骤20）构建集成电路用三端电阻的测试结构；步骤30）建立二极管测试数据文件和三端电阻测试数据文件；步骤40）建立...
刘斯扬朱荣霞黄栋钱钦松孙伟锋陆生礼时龙兴
功率VDMOS器件的新型SPICE模型
2013年
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.
朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟
关键词：VDMOSSPICE模型准饱和效应
高压LDMOS热载流子效应的可靠性建模
高压横向双扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)因具有击穿电压高、导通电阻低且易与标准互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)工艺集成等优点，已成为功率集成电路的核心元件之一。由于高压LDMOS器件通常工作在高电压、大电...
朱荣霞
关键词：热载流子效应SPICE模型可靠性
文献传递
一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P型外延层，在P型外延层内部设有P型缓冲阱区、N型体区和P型中心缓冲阱区，在P型缓冲阱区内设有N型漏区，在N型体区中设...
孙伟锋陈扬朱荣霞刘斯扬钱钦松陆生礼时龙兴
文献传递
一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法
本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正...
刘斯扬黄栋朱荣霞张春伟宋慧滨孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法
本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正...
刘斯扬黄栋朱荣霞张春伟宋慧滨孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种集成电路用三端电阻阻值的测量方法
本发明公开了一种集成电路用三端电阻阻值的测量方法，包括以下步骤：步骤10)建立集成电路用三端电阻的宏模型；步骤20）构建集成电路用三端电阻的测试结构；步骤30）建立二极管测试数据文件和三端电阻测试数据文件；步骤40）建立...
刘斯扬朱荣霞黄栋钱钦松孙伟锋陆生礼时龙兴
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