李兴辉
- 作品数：81 被引量：98H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 微型化真空泵技术
- 2023年
- 微型化真空泵对于微机电系统和真空微电子器件的真空封装极具意义。本文从工作原理和工艺实现方面,分析了常见传统真空泵实现微型化的可行性,介绍了膜片泵、射流/扩散泵、努森泵和离子泵的微型化进展,并总结了当前存在的技术障碍。结果表明,目前热点研究的微型化真空泵已经可以构建从大气状态至高真空的真空系统。虽然真空泵微型化后,其性能和工作稳定性相对传统宏观真空泵有较大降低,但具有低功耗、可集成优势,对便携式系统和高真空微系统十分必要。
- 李兴辉杜婷韩攀阳陈海军蔡军冯进军
- 关键词：微机电系统真空微电子器件真空泵微封装微型化
- 一种基于深硅刻蚀制备通孔的方法
- 本发明提供一种基于深硅刻蚀制备通孔的方法。该方法选用STS LPX ASESR深硅刻蚀系统进行刻蚀，包括如下步骤：1)在硅基片的第一表面旋涂光刻胶，制备光刻胶掩膜，在光刻胶掩膜上形成所需图案，采用bosch工艺对硅基片进...
- 杜婷李兴辉姜琪谢云竹陈海军潘攀冯进军
- 场发射阵列阴极在行波管中的应用被引量：4
- 2003年
- 给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法 ,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题 。
- 杜英华杨崇峰廖复疆李炳炎李兴辉白国栋张甫权丁明清
- 关键词：行波管电子源电子枪
- 提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究被引量：6
- 2004年
- 在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物。采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小。研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义。
- 李兴辉冯进军白国栋丁明清张甫权廖复疆
- 关键词：限流电阻
- 碳化硅真空纳米电子器件技术分析
- 2024年
- 新兴的真空纳米电子器件兼具固态器件集成电路和传统真空电子器件的优势。但和硅器件同工艺、同片集成的现状,限制了其在恶劣环境的应用。使用宽禁带半导体碳化硅材料制备真空纳米电子器件,可在耐辐射基础上兼具抗高温特性,使该器件具备良好的综合优势。文章分析了硅器件及集成电路发展中面临的问题,回顾了真空纳米电子器件的发展历史,介绍了碳化硅材料的相对优势以及SiC基真空纳米电子器件研究现状,并对该器件发展及应用前景进行了分析。
- 任大鹏李兴辉韩攀阳仲子琪
- 关键词：碳化硅真空器件抗温抗辐射
- 微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究被引量：12
- 2007年
- 本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。
- 陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军邵文生
- 关键词：定向碳纳米管
- 用于太赫兹真空器件的大电流密度阴极
- 主要介绍了太赫兹器件对电子源的需求,并对国际上各类适用于太赫兹器件的电子源进行了分析和对比。作者认为正在研发的热阴极和冷阴极(场发射阵列阴极)是未来太赫兹器件电子源的两个选择。目前,热阴极技术和场发射冷阴极也正在因为器件...
- 邵文生李娜李兴辉于志强白国栋王辉张珂李季
- 关键词：太赫兹真空器件热阴极冷阴极场发射阵列
- 太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析被引量：2
- 2015年
- 本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。
- 李兴辉白国栋李含雁丁明清冯进军
- 关键词：太赫兹真空电子器件场发射阴极碳纳米管
- 场发射阴极在微波管中的应用
- 一、前言早在二十年代人们就已经知道导体表面在强电场(约10V/cm)作用下,可以产生场发射电子.长期以来,由于技术上的原因,只有在高电压下,导体尖端才会达到这样高的电场,因此场发射阴极一直没有能用于电子器件中去.薄膜场发...
- 彭自安李兴辉
- 文献传递
- 一种场发射阴极超薄难熔金属栅网及其制备方法
- 本发明公开了一种场发射阴极超薄难熔金属栅网，其包括：栅网基片，在所述栅网基片中心区域包含栅极透孔阵列；栅网支撑环，位于所述栅网基片上，二者焊接一体；其中，所述栅网基片的材质为难熔金属。该栅网具有超薄的厚度，且能够适用于毫...
- 李兴辉韩攀阳杜婷姜琪杨金生蔡军冯进军
- 文献传递
