李和新
- 作品数：33 被引量：36H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金重庆市科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
- 本发明公开了一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法，是将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体在含氢的气氛下加热一段时间，将Ce<Sup>4+</Sup>还原为Ce<Sup>3+</Sup>，使晶...
- 岑伟李和新王佳
- 文献传递
- 钽酸锂黑片的制备与性能研究被引量：2
- 2019年
- 为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10^-6K^-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。
- 龙勇于明晓李和新石自彬王璐丁雨憧徐扬吴兆刚
- 关键词：钽酸锂电阻率均匀性晶片
- 一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
- 本发明公开了一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法，是将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体在中性的气氛下加热一段时间，使铈掺杂硅酸钇镥晶体中的氧扩散出来以将Ce<Sup>4+</Sup>变为C...
- 岑伟李和新王佳
- 文献传递
- 一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法
- 本发明公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法，本方法采用单晶炉制备，单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区，在单晶炉炉外设有与备料区相连通的加料装置，并通过加料装置...
- 顾跃丁雨憧杲星李和新
- La_3Ga_5SiO_(14)晶体生长研究被引量：1
- 2003年
- 报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能。
- 蒋春健胡少勤吴兆刚李和新
- 关键词：晶体直拉法压电性能
- ?5.5cm Lu_3Al_5O_(12)∶Pr晶体生长与闪烁性能研究被引量：1
- 2015年
- 采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的发光中心波长为308nm,光输出为19 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为23ns。
- 丁雨憧刘军冯大建李和新岑伟王佳石自彬龙勇付昌禄胡少勤
- 关键词：闪烁晶体提拉法生长光输出
- Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究被引量：15
- 2016年
- 采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。
- 冯大建丁雨憧刘军李和新付昌禄胡少勤
- 关键词：闪烁晶体石榴石提拉法光输出
- 一种硅酸镓镧系列晶体生长方法
- 本发明公开了一种硅酸镓镧系列晶体生长方法，包括如下步骤：（1）将原料粉体压制成料块；（2）在坩埚中装入料块，然后进行加热；（3）坩埚内温度达到1000℃以上，将原料粉体添加进坩埚；（4）原料全部熔化后，升温到熔点以上20...
- 石自彬李和新龙勇
- 文献传递
- 一种钽酸锂黑片的回收再利用方法
- 本发明公开了一种钽酸锂黑片的回收再利用方法，将待处理的不合格钽酸锂黑片放置于热处理炉中，在氧气气氛下，在400℃至钽酸锂居里温度范围内进行热处理，冷却即得到钽酸锂白片；钽酸锂白片再次经过黑化处理得到钽酸锂黑片，从而完成不...
- 龙勇于明晓石自彬丁雨憧徐扬李和新
- 铽镓石榴石晶体多晶合成与单晶生长研究
- 2016年
- 以(99.99%)Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法(分段升温工艺)合成高纯、单相的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,简称TGG)多晶料。使用提拉法(CZ)成功生长出44mm×70mm,外观完整无开裂、无螺旋的TGG晶体。经X线衍射分析、密度测试、晶体成分测试表明,生长的晶体结构完整,结晶性好;晶体的密度为7.14g/cm3,与理论值接近;晶体中Tb与Ga摩尔比为66%,可能存在少量Ga空位。
- 龙勇石自彬于明晓李和新徐扬付昌禄
- 关键词：多晶合成提拉法
