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杨丽萍
作品数:
18
被引量:6
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
自动化与计算机技术
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合作作者
李云霞
电子科技大学
康波
电子科技大学
李轩
电子科技大学
邓小川
电子科技大学
张波
电子科技大学
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杨丽萍
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康波
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2018
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2006
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2005
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P+屏蔽层电位可调碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明提供一种P+屏蔽层电位可调的沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制作方法,制作方法包括:N‑外延层注入铝离子形成P+屏蔽层;外延形成P型基区;氮离子注入形成N+场截止层;铝离子注入形成P+欧姆接触区;氮离子注入形成N+...
邓小川
徐晓杰
曹厚华
高蜀峰
杨丽萍
李轩
张波
文献传递
水热构筑ZnO低维结构材料
宽禁带半导体ZnO材料由于具有优异的光电性能引起了人们广泛的兴趣,其在紫外激光器、太阳能电池、传感器等方面有着广泛的应用前景。ZnO的自组织行为使人们可以获得许多形态各异,特殊用途的低维材料及其器件。 目前对Z...
杨丽萍
关键词:
ZNO
水热
光致发光
文献传递
工业机器人手眼标定方法
本发明公开了一种工业机器人手眼标定方法,对相机和标定板进行部署,在工业机器人的工作平面区域内设置多个标定数据采集点并记录其在工业机器人基坐标系中的坐标,然后将工业机器人的操作臂末端依次移动至各个标定数据采集点,控制操作臂...
康波
杨曦
李云霞
徐阳翰
杨丽萍
高压碳化硅GTO器件结构与特性研究
硅基高压功率器件的di/dt,dv/dt能力正在达到自身极限,具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高以及电子饱和漂移速度大等优越物理特性的碳化硅(SiC)材料的研究,给新一代电力电子器件的发展带来了希望。碳化硅栅极可关...
杨丽萍
关键词:
电学特性
文献传递
水热构筑管状ZnO及其形成机理
2005年
作者采用低温水热法在硅衬底上生成了微米级管状ZnO,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析样品的形貌和物相结构.在不同温度下对样品进行了热处理,实验结果表明,在723K下ZnO微管的结晶性能最佳.初步探索了此管状结构的形成机理溶液中先形成ZnO的球形颗粒并沉积在衬底上,然后形成中空结构,最终生长为六棱管状结构.
杨丽萍
李燕
邓宏
关键词:
ZNO
水热
一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法
本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法,器件包含源极欧姆接触区、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑漂移区、Pbase区、N+源区、P+源区、栅沟槽区,本发明在碳化硅沟槽MOSFET器件内部集成二极...
邓小川
高蜀峰
柏松
杨丽萍
李轩
张波
文献传递
P+屏蔽层电位可调碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明提供一种P+屏蔽层电位可调的沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制作方法,制作方法包括:N‑外延层注入铝离子形成P+屏蔽层;外延形成P型基区;氮离子注入形成N+场截止层;铝离子注入形成P+欧姆接触区;氮离子注入形成N+...
邓小川
徐晓杰
曹厚华
高蜀峰
杨丽萍
李轩
张波
文献传递
水热构筑管状ZnO及其形成机理
作者采用低温水热法在硅衬底上生成了微米级管状ZnO,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析样品的形貌和物相结构.在不同温度下对样品进行了热处理,实验结果表明,在723K下ZnO微管的结晶性能最佳.初步探索...
杨丽萍
李燕
邓宏
关键词:
水热法
电子显微镜
文献传递
基于二维条码技术的装机信息采集系统的设计与实现
当今世界面临信息产业革命的高潮,世界的经济走向了全球化,走向了信息化。同时世界制造业的发展空间及其竞争环境也都发生了日新月异的变化。为了提升企业的运作效率同时提高企业的管理水平,许多企业在生产制造环节开始使用ERP等信息...
杨丽萍
关键词:
软件开发
ORACLE数据库
二维条码技术
文献传递
基于机器视觉的大尺寸液晶屏缺陷检测方法
本发明公开了一种基于机器视觉的大尺寸液晶屏缺陷检测方法,对液晶屏进行分区,为每个分区设置一个相机,对相机进行标定获取畸变系数矩阵,然后获取单应性矩阵;令液晶屏显示纯色画面,每个相机拍摄对应分区的液晶屏图像,采用畸变系数矩...
康波
李云霞
朱恒川
杨曦
杨丽萍
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