杨国伟
- 作品数：107 被引量：238H指数：9
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金湖南省中青年科技基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶被引量：9
- 1998年
- 本文提出一种独特的激光熔蚀法即在液体中激光熔蚀固体靶制备纳米晶，并且首次在氨水中激光熔蚀石墨靶制备出氮化碳纳米晶。透射电镜（ＴＥＭ）和高分辨率电镜（ＨＲＥＭ）分析表明制备的氮化碳纳米晶由α－Ｃ３Ｎ４、β－Ｃ３Ｎ４和Ｇｒａｐｈｉｔｅ－Ｃ３Ｎ４晶粒组成。
- 刘秋香王金斌杨国伟
- 关键词：氮化碳固体靶纳米晶
- 多孔硅的制备和发光特性被引量：3
- 1993年
- 本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。
- 杨国伟
- 关键词：多孔硅光致发光
- 金刚石薄膜成份和结构的评价方法
- 1994年
- 本文描述了低压气相淀积生长金刚石薄膜样品的成份、结构、化学键等的测试、分析手段，讨论了这些分析技术所提供信息的可靠性、以及存在的一些问题。
- 杨国伟
- 关键词：金刚石薄膜化学气相淀积
- 热丝CVD生长金刚石薄膜研究被引量：1
- 1995年
- 本文研究了热丝ＣＶＤ方法生长金刚石薄膜过程中，衬底表面的损伤处理对金刚石薄膜光学性能的影响，以及膜中非本征杂质吸收对其红外光学特性的影响。
- 杨国伟毛友德
- 关键词：金刚石薄膜
- 室温下用脉冲激光沉积E-BN薄膜被引量：2
- 2002年
- 在利用等离子体增强脉冲激光沉积系统沉积立方氮化硼 (cBN)薄膜时 ,发现了氮化硼 (BN)材料的E BN相 ,并利用扫描电镜和红外吸收光谱及X射线衍射技术对薄膜样品进行了分析 ,得到了制备较高质量E BN薄膜的一些热力学参数及时间参数 ,验证了现有的E BN结构的形成理论。
- 任志昂张灿云钟向丽王金斌杨国伟
- 关键词：脉冲激光沉积红外吸收光谱X射线衍射分子晶体
- 非金刚石衬底表面气相生长金刚石薄膜的成核理论（Ⅰ）──光滑表面衬底被引量：4
- 1995年
- 本文应用热力学成核理论研究了低压气相生长金刚石薄膜过程中，金刚石在非金刚石衬底表面的成核行为，在计入原子氢对稳定核和衬底刻蚀作用情况下，建立了平表面衬底上稳定原子团的生长方程及成核理论。该理论与已有的实验事实是一致的，并且在线性近似条件下得到了一些有意义的结果。
- 杨国伟
- 关键词：金刚石薄膜衬底
- 脉冲激光诱导液-固界面反应制备金刚石纳米晶被引量：13
- 1998年
- 采用液体水中激光熔蚀固体石墨靶的方法，制成品形较好的六方金刚石相和立方金刚石，还观察到一种柱状纳米金刚石晶体.
- 王金斌刘秋香杨国伟胡国彬游建强
- 关键词：金刚石纳米晶脉冲激光
- 用P(ε)=P_0ε^(1-D)计算实际分形体维数的不确定性被引量：10
- 1992年
- 只和测量码尺ε的选择有关,而与分形体的几何形状无关。一些学者应用(2)式研究材料脆性和断裂韧性与断裂形貌的分维关系时,发现了分维不确定性问题,也就是D的码尺相关性。 龙期威从测量码尺的选择入手。
- 杨国伟
- 关键词：不确定性
- 等离子体CVD生长金刚石薄膜中衬底负偏压增强成核机制被引量：3
- 1996年
- 提出了近年来实验发现的在等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）金刚石薄膜中衬底负偏压增强成核效应的理论模型，给出了偏压增强成核效应与沉积参数诸如反应压强和碳源浓度等的关系，解释了在负偏压增大时，反应压强和碳源浓度的变化对成核增强强度的影响，并且讨论了阈值负偏压问题。本模型得到的理论结果与文献中的实验结果基本一致。
- 杨国伟
- 关键词：等离子体金刚石成核CVD
- 多孔硅的电致发光和发光二极管被引量：1
- 1993年
- 本文较详细地描述了多孔硅的电致发光(EL),以及发光的量子限制效应的机制,并且讨论了目前已经制备出的几种多孔硅发光二级管:Ps/电解液型,Schot-tky-Like,PN结等二极管。最后,讨论了多孔硅作为半导体光电材料所存在的一些问题。
- 杨国伟
- 关键词：多孔硅电致发光发光二极管
