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杨宇欣

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供职机构：长春光学精密机械学院电子工程系更多>>
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题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电压
  • 1篇异质结
  • 1篇CD
  • 1篇SE
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  • 1篇CDS

机构

  • 1篇长春光学精密...

作者

  • 1篇杨文库
  • 1篇邓文荣
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传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1995
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CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究
1995年
本文提出了精确测量内建电压Ｖ_Ｄ的Ｗ（结宽）－Ｎ（Ｎｅｆｆ为有效空间电荷密度）新方法．文中严格证明了由Ｗ－Ｎ曲线的斜率可计算异质结的ＶＤ．在零偏压下测量了ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的ＶＤ，样品ＣＩＳ－１的ＶＤ为０．４３７Ｖ，样品ＣＩＳ－２的ＶＤ为０．２９３Ｖ．我们的测量结果表明，光照不改变ＶＤ，但使异质结变窄．内建电压是异质结的固有参量．利用Ｗ－Ｎ方法可以详细研究偏压对异质结电特性和其它参量的影响．
杨文库杨宇欣邓文荣
关键词：CDSCUINSE2异质结电压
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