林碧霞
- 作品数：51 被引量：442H指数：14
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性被引量：31
- 2001年
- 近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响 ;观察了样品的室温光致发光光谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较 ,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。
- 傅竹西林碧霞祝杰贾云波刘丽萍彭小滔
- 关键词：结构特性光致发光MOCVD发光特性
- ZnO／SiC／Si异质结构的特性被引量：2
- 2006年
- 用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO／SiC／Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO／SiC／Si和ZnO／Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性．结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层．这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低．
- 段理林碧霞姚然傅竹西
- ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理被引量：19
- 2004年
- 以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0～ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。
- 施朝淑张国斌陈永虎林碧霞孙玉明徐彭寿傅竹西Kirm MZimmerer G
- 关键词：ZNO薄膜发光真空紫外光谱特性
- Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性被引量：35
- 2001年
- 利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带 ( 2 90nm) ,并初步指定其来源。
- 张国斌施朝淑韩正甫石军岩林碧霞Kirm MZimmerer G
- 关键词：光致发光氧化锌半导体
- ZnO/SiC异质结的外延生长
- 本文利用MOCVD高温反应室系统,在Si衬底上先外延6H-SiC薄膜,然后在低温反应室以6H-SiC/Si为衬底,外延高质量的ZnO薄膜,并对薄膜的性质作相应的研究.
- 朱俊杰林碧霞傅竹西
- 关键词：氧化锌薄膜宽禁带半导体材料MOCVD异质结
- 文献传递
- 溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性被引量：21
- 2001年
- 近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料 ,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短 ,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度 ,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜 ,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱 ,研究了发光与薄膜晶体结构 ,以及发光与激发电子束流的关系等。
- 林碧霞傅竹西贾云波廖桂红
- 关键词：氧化锌光致发光光谱发光特性
- 热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响被引量：6
- 2004年
- 利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶粒尺寸明显增大,同时伴随晶粒尺寸分布非均匀化,较大的尺寸可达400 nm,而较小的尺寸仅为50 nm。此外,椭偏测量表明:椭偏参数在不同的退火温区的变化呈现明显差别;当退火温度高于850℃时,薄膜的结构有明显的变化。
- 刘磁辉林碧霞王晓平朱俊杰钟声傅竹西
- 关键词：热退火原子力显微镜椭偏测量半导体材料
- ZnO薄膜光学常数测量被引量：18
- 2004年
- 利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复分电常数和复折射率(折射率和消光系数)。为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反射镜中间的小孔进入单色仪,从而测量出正入射情况下ZnO薄膜的反射光谱。对有限波段下测量的数据经合理的外推后,得出全波段的薄膜反射谱,然后利用K-K方法计算出ZnO薄膜的复分电常数和复折射率。实验结果表明,氧化锌薄膜在可见光范围内的折射率近似为一常数3.5;在430 nm附近出现折射率最大值,而在短波长范围所对应的折射率大大降低,其值在0.5～2.5之间起伏波动。
- 傅竹西林碧霞何一平廖桂红
- 关键词：氧化锌薄膜光学常数反射光谱单色仪光电子材料
- Ｆｅ－Ｎｉ－Ｂ系列超微粉的制备与特性
- 林碧霞黄允兰
- 关键词：超细粉含铁合金镍合金磁性
- 氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性被引量：21
- 1999年
- 用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ 薄膜．测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系．在所有测量样品中均观察到较强的绿带（５２０ｎｍ ）发射，随着薄膜单晶程度的提高，光谱中开始出现蓝带（～４５０ｎｍ ），并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带（３９０ｎｍ ）；它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加．根据ＺｎＯ 中激子的结合能数据，推测紫带发射来源于ＺｎＯ 的激子跃迁．实验结果说明。
- 傅竹西林碧霞郭常新廖桂红
- 关键词：氧化锌半导体薄膜
