梁厚蕴
- 作品数：10 被引量：31H指数：2
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- 在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速晶化研究被引量：2
- 2001年
- 在镀铝 (0 .5～ 4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积 1～ 4μm厚的α- Si薄膜 (基底沉积温度为 30 0℃ ,沉积速率为 1 .0μm/h) ,然后样品在共熔温度下、 N2 气保护中热退火 ,可使其快速晶化成多晶硅薄膜 .结果表明 :在铝薄膜的诱导下 α- Si薄膜在温度 550℃附近退火 5min即可达到晶化 ,X-射线衍射分析显示样品退火 30 min形成的硅层基本全部晶化 ,且具有良好的晶化质量 .
- 梁厚蕴林揆训梁淑霞周甫方
- 关键词：快速热退火铝诱导晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜晶化温度退火温度
- 在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速化研究
- 本工作重点是在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频化学气相沉积1～4μm厚的a-Si薄膜(基底沉积温度为300℃,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N<,2>气保护中热退火,可使其快速晶化成为多晶硅薄...
- 梁厚蕴林揆训石旺舟周甫方
- 关键词：非晶硅薄膜快速热退火铝诱导晶化
- 文献传递
- 可见光区三层减反射膜的设计
- 1997年
- 本文通过对可见光区减反射薄膜材料的选择和设计，采用计算机模拟，找出了在３５０～７５０ｎｍ范围内具有最好光谱中性的减反射膜系ＳｉＯ２ＴｉＯ２ＳｉＯ２玻璃基底。
- 梁厚蕴杜军夏志华
- 关键词：可见光区计算机模拟
- α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射
- 2000年
- 采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在 ,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强 ,达到饱和值后 ,随着其含量的进一步增加而下降 .这表明发射峰可能起源于 O- Si- N结合而形成的发光中心 .
- 石旺舟梁厚蕴
- 关键词：光发射
- 纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的发光特性被引量：4
- 2000年
- 采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs -SiO2 镶嵌复合薄膜。通过X射线衍射、透射电镜观察和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。结果表明 ,薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2 两相组成 ,GaAs在沉积过程中未明显氧化 ,且以纳米颗粒形式均匀地弥散 ;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度 ,成功地获得了GaAs的平均粒径分别为 3～ 10nm的GaAs -SiO2 镶嵌复合薄膜。测得发光谱线由多峰叠加组成 ,其峰位随平均粒径变小而蓝移 ;当平均粒径为 10nm时 ,发光谱线位于可见光波段 ,峰位分别为 5 12、5 3 0、5 5 0、5 78nm。采用量子限域理论讨论了光发射波长与颗粒直径间的关系。
- 石旺舟梁厚蕴
- 关键词：发光特性
- 非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析被引量：25
- 2002年
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm .
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎黄创君
- 关键词：多晶硅薄膜非晶硅薄膜
- 非晶硅薄膜的低温快速固相晶化
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退温度为550℃时,大部分(约80﹪)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为6...
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎石旺舟姚若河黄创君杨坤进
- 关键词：非晶硅薄膜
- 文献传递
- 低温等离子体氧化α-Si∶H薄膜的蓝光发射
- 2001年
- 通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α Si∶H薄膜的荧光特性 ,在 45 0nm～ 5 0 0nm范围内常温下观察到强蓝光发射 ,发光强度随沉积氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构 ,位置分别为 46 0nm、46 5nm、472nm、478nm、485nm、490nm、496nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关 ,其起源于Si O结合特定组态而形成的发光中心。
- 石旺舟梁厚蕴欧阳艳东
- 关键词：蓝光发射
- 铝诱导的非晶硅薄膜低温快速晶化
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min。退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退火温度为550℃时,大部分（约80%）的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为...
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎石旺舟姚若河黄创君杨坤进
- 关键词：非晶硅多晶硅
- SiN_xO_y薄膜的制备和紫外光、蓝光发射
- 1999年
- 研究了用等离子体增强化学气相沉积方法（PECV），经过后处理制备出SINxOy薄膜，测量了其光致发光（PL谱）特性，观测到强度大约为多孔硅蓝光发射10倍的蓝光（440nm）和紫外光（360nm）的发射。此外，测量了其X射线衍射谱，对其成分和结构做了一定的分析和研究。
- 梁厚蕴林揆训刘兴胜石旺舟林璇英
- 关键词：PECVD光致发光
