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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇锗68
  • 2篇镓68
  • 2篇发生器
  • 2篇GA
  • 1篇氧化铕
  • 1篇质谱
  • 1篇质谱法
  • 1篇同位素稀释
  • 1篇稳定性
  • 1篇硅胶
  • 1篇高纯
  • 1篇
  • 1篇ID
  • 1篇穿透率
  • 1篇EU

机构

  • 3篇中国原子能科...
  • 1篇国家标准物质...

作者

  • 3篇汤启明
  • 2篇赵贵植
  • 2篇李大康
  • 1篇李思林
  • 1篇张丕禄
  • 1篇张艳娟
  • 1篇龙卫忠
  • 1篇赵墨田
  • 1篇王军

传媒

  • 3篇核化学与放射...

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1993
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
^(68)Ge-^(68)Ga发生器的研制——硅胶柱上^(68)Ge与Ga、Cu、Zn的分离被引量:2
1997年
测量了硫酸介质中Ge在硅胶上的分配比及Ga、Cu、Zn在硅胶上的吸附。研究了硫酸浓度、Ga浓度及原始溶液中Ge载体量对Ge分配比的影响。实验结果表明:用10mm×30mm硅胶柱,上柱料液为50mL0.4μg/mLGe-0.28mol/LGa-9mol/LH2SO4溶液,淋洗液为30mL9mol/LH2SO4,流速为0.85mL/cm2·min时,Ge的穿透率为0.39%,Ga、Cu、Zn的去污系数分别为1.8×106、5.0×106、2.6×106。
汤启明赵贵植罗文博李大康
关键词:硅胶锗68镓68
IDMS测定高纯Eu_2O_3样品中微量杂质被引量:3
1993年
将样品基体分离,分别提取轻稀土和重稀土,优选参测同位素,采用同位素稀释质谱法(IDMS)对高纯Eu_2O_3样品中的Ce、Nd、Sm、Dy、Er和Yb等6种微量杂质进行定值。
李思林张丕禄汤启明赵墨田张艳娟王军
关键词:同位素稀释质谱法氧化铕
^(68)Ge-^(68)Ga发生器的研制——^(68)Ge-^(68)Ga发生器的稳定性研究被引量:3
1997年
研究了不同时间间隔淋洗68Ge-68Ga发生器时,68Ga的淋洗曲线、淋洗效率、68Ge的穿透率、流出液中的Sn含量及温度对68Ga淋洗效率的影响。实验结果表明,用1mol/LHCl淋洗以SnO2为吸附剂的68Ge-68Ga发生器,每次淋洗间隔时间1-14天不等,历经半年时间的淋洗,68Ge的穿透率保持在10-7数量级,淋洗液中的Sn含量保持在4×10-7以下。68Ga淋洗曲线的形状未发生变化,68Ga的淋洗效率为55%—75%,淋洗时间间隔变化不影响淋洗效率,温度对淋洗效率有较大影响。
汤启明赵贵植龙卫忠李大康
关键词:镓68锗68稳定性穿透率发生器
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