潘孟美
- 作品数：35 被引量：26H指数：3
- 供职机构：海南师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：海南省自然科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程文化科学更多>>
- 柔性衬底上三氧化钼正方形纳米片的低温制备及生长机制
- 2011年
- 采用热蒸发方法,以红外烧结炉为制备仪器,在聚酰亚胺柔性衬底上制备正方形纳米片.通过扫描电子显微镜、X-射线衍射谱表征产物的形貌、尺寸、成分及物相,并对纳米片的形成机理进行了探讨分析.研究表明,此纳米片为三氧化钼(MoO3)的正交结构.生长时间、衬底和蒸发源的间距对纳米片的尺寸有显著的影响.生长时间越长,衬底和蒸发源间距越小,纳米片的尺寸越大.
- 班冬梅王林茂洪丽潘孟美傅军
- 关键词：三氧化钼纳米片
- 掺氮对热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积金刚石膜结构的影响
- 掺硼金刚石膜由于具有较高的掺杂效率，可实现较大的载流子浓度和高的电导率，在很多领域已获得应用。相对而言掺氮金刚石膜的研究结果比较少。
- 羊大力彭鸿雁赵志斌潘孟美阿金华戴安娜李凤永
- 第一性原理研究half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的半金属铁磁性被引量：4
- 2018年
- 构建只含有一种过渡金属元素的half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi.采用第一性原理的全势能线性缀加平面波方法计算half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的电子结构.计算结果表明, VLiBi和CrLiBi是半金属性铁磁体,它们的半金属隙分别是0.25 eV和0.46 eV,晶胞总磁矩分别为3.00μB和4.00μB.磁性计算结果显示,晶胞总磁矩主要来源于V和Cr的原子磁矩, Li和Bi的原子磁矩较弱,而且Bi的原子磁矩为负值.利用平均场近似方法计算合金的居里温度TC, VLiBi和CrLiBi的居里温度(TC)的估算值分别为1401 K和1551 K.使晶格常数在±10%的范围内变化,分别计算VLiBi和CrLiBi的电子结构.计算研究表明,晶格常数在-5.6%—10%和-6.9%—10%的范围内变化时VLiBi和CrLiBi仍具有半金属性,并且晶胞总磁矩稳定于3.00μB和4.00μB.采用局域密度近似(LDA)+U (电子库仑相互作用项)的方法计算VLiBi和CrLiBi的电子结构,当U的取值增大到5 eV时VLiBi和CrLiBi仍保持半金属性.此外,采用考虑自旋-轨道耦合(spin-orbit coupling, SOC)效应的广义梯度近似(GGA)+SOC方法计算VLiBi和CrLiBi的电子结构,计算结果显示有微弱的自旋向下能带穿过费米能级,此时VLiBi和CrLiBi在费米面处的自旋极化率分别为98.8%和94.3%,它们的晶胞总磁矩分别为3.03μB和4.04μB. VLiBi的半金属性几乎不受SOC效应的影响,而CrLiBi在费米面处仍有较高的自旋极化率.
- 姚仲瑜孙丽潘孟美孙书娟刘汉军
- 关键词：半金属第一性原理电子结构铁磁性
- 一种基于电化学的污水处理装置
- 本实用新型公开了一种基于电化学的污水处理装置，包括槽体、前处理室、阴极室、阳极室、掺氮纳米金刚石阴极、掺硼纳米金刚石阳极、隔膜、水泵和直流电源；所述槽体内依次设有前处理室、阴极室和阳极室，所述掺氮纳米金刚石阴极固定于所述...
- 彭鸿雁张铁民潘孟美赵志斌姜宏伟
- 文献传递
- 电子关联对聚乙炔中双激子湮灭过程的影响
- 2011年
- 在SSH哈密顿基础上引进弱电子关联,对反式聚乙炔链中双激子的湮灭过程实施了分子动力学模拟.电子关联的引入延缓了链中激子的湮灭过程,关联强度U=0eV时,激子的湮灭时间约在t=84fs,计入四个近邻格点上的弱电子关联作用,湮灭时间明显减慢,约为t>100fs.随着弱关联强度的增加,湮灭时间逐渐延长.计算结果表明,在计算有机材料激子快速响应过程中计入电子关联是十分必要的.
- 孙书娟傅军姚仲瑜潘孟美
- 关键词：电子关联聚乙炔双激子湮灭分子动力学
- 用矩阵方法处理3自由度系统的微振动被引量：1
- 2005年
- 以分析动力学为基础,讨论3自由度系统在其平衡位置附近的微振动.用矩阵进行坐标变换,使系统变为3个去耦的单自由度振动问题.应用矩阵方法进行计算,随着系统自由度数的增加,计算工作量很大,为此必须借助计算机进行计算,得出系统的简正频率、简正坐标及耦和振动曲线图.利用矩阵进行坐标变换使系统去耦,它为研究多自由度的受迫振动提供了有效而方便的方法.
- 潘孟美
- 关键词：微振动简正频率简正坐标
- 一种盘电极高压大电流开关及系统
- 本发明公开了一种盘电极高压大电流开关及系统，该开关包括：开关筒体、上电极、下电极和中间电极；其中，所述上电极、下电极为盘式电极，且分别安装在所述开关筒体的相对应的两端；所述中间电极为旋转电极，安装在所述开关筒体内部；所述...
- 彭鸿雁姜宏伟羊大立吕栋栋费红阳潘孟美
- 三氧化钼纳米带电致变色过程中的缺陷变化研究被引量：1
- 2013年
- 采用热蒸发法在氧化铟锡玻璃上制备三氧化钼(MoO3)纳米带薄膜。通过扫描电镜、X射线衍射、红外光谱分析了纳米带的表面形貌及结构,通过紫外-可见-近红外光谱以及光致发光谱分析了电致变色前后纳米带光学性能以及缺陷分布情况。结果表明:纳米带的光学带隙为3.36eV,变色前纳米带内部就存在着部分由晶格畸变和氧空位产生的+5价Mo离子;变色后,注入的Li+和e-使材料内部的[MoO6]八面体发生新的畸变,产生新的Mo5+。电子在+6价和+5价的Mo离子间发生迁移而导致着色。
- 班冬梅潘孟美王林茂洪丽傅军
- 关键词：三氧化钼纳米带电致变色
- 掺氮金刚石膜电化学性能与氧化降解硝基苯研究
- 掺杂金刚石膜由于具有较宽的电势窗口，极低的背景电流，稳定的化学性质，在强酸、强碱中不会被腐蚀，有良好的吸附惰性，在电化学污水处理、电化学分析等领域有良好的应用前景。
- 赵志斌彭鸿雁潘孟美叶国林
- 关键词：电催化氧化硝基苯降解
- 第一性原理研究闪锌矿结构MnSb和MnBi半金属性和磁性的稳定性被引量：3
- 2012年
- 采用基于第一性原理的全势能线性缀加平面波方法对闪锌矿结构MnSb和MnBi的电子结构进行自旋极化计算.闪锌矿结构MnSb和MnBi处于晶格平衡时都是半金属性的,并且它们自旋向下电子能带带隙分别是1.32 eV和1.27 eV.闪锌矿结构MnSb和MnBi的自旋总磁矩都为4.00μ●/formula,总磁矩主要来源于Mn的原子磁矩,Sb和Bi的原子磁矩对总磁矩的贡献很小而且为负值,它们具有明显的铁磁性特征.使晶体晶格在±10%的范围内发生各向同性形变,对闪锌矿结构MnSb和MnBi的电子结构进行计算.计算结果表明,当晶格各向同性形变分别为-1%～10%和-4%～10%时,闪锌矿结构MnSb和MnBi仍然保持半金属铁磁性,并且总磁矩都稳定于4.00μ●/formula.
- 姚仲瑜林红孙书娟潘孟美羊现长刘汉军
- 关键词：稳定性半金属磁性态密度
