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管玉国
作品数:
23
被引量:39
H指数:4
供职机构:
齐齐哈尔大学理学院物理系
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
戴国瑞
吉林大学电子科学与工程学院
南金
吉林大学电子科学与工程学院
焦伯恒
吉林大学电子科学与工程学院
杨崇志
吉林大学电子科学与工程学院
高鼎三
吉林大学电子科学与工程学院
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11篇
1997
7篇
1996
1篇
1993
1篇
1992
2篇
1991
共
23
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InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及C-V特性
被引量:1
1997年
报道了以正硅酸乙酯(TEOS)为源,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP表面低温生长SiO2钝化膜。
戴国瑞
管玉国
赵军
南金
关键词:
半导体工艺
界面态密度
薄膜的表面修饰对气体敏感特性的影响 ̄①
被引量:2
1997年
采用PECVD方法制备了氧化物簿膜,为了改善气体敏感特性,将几种元素覆盖于薄膜表面进行了表面修饰。
戴国瑞
管玉国
焦伯恒
南金
孙太玺
朱勇
韩征
许秀来
关键词:
表面修饰
氧化物半导体
气敏特性
多层氧化物薄膜气体敏感特性的研究
被引量:1
1997年
报道了采用PECVD方法制备多层薄膜材料,研究了不同结构薄膜材料的气敏特性,制得了具有优越性能的NOx。
戴国瑞
管玉国
焦伯恒
南金
许秀来
韩征
朱勇
关键词:
气体传感器
敏感特性
氧化物薄膜
采用表面技术改善气敏薄膜特性
1996年
对镀Pt的Fe2O3/SnO2双层气敏薄膜进行了SEM和XPS分析,表明贵金属表面修饰技术对敏感薄膜的改性作用。对制成的元件进行了测量,证实了表面技术对敏感薄膜的灵敏度、选择性及稳定系数等主要性能指标都有一定程度的改善。
管玉国
戴国瑞
洪军
关键词:
改性作用
气敏薄膜
An/C_(60)-Polymer/P-Si结构C-V特性
1996年
报道了利用PECVD技术在P-Si衬底抛光面上淀积含C60聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成An/C60-Polymer/P-Si结构.通过常温及温偏处理后的不同C-V特性,推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数,并对经过温偏处理后C-V曲线的畸变做了讨论.
管玉国
戴国瑞
关键词:
C-V特性
碳60
高聚物
有机半导体
聚环戊二烯薄膜中C_60的薄板层析分离与检测
1997年
报道了采用薄板层析技术分离聚环戊二烯薄膜中富勒烯C60的方法,其薄膜是用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术制备的,以质谱分析的方法观察了不同色层带的有机化合物分子的大小,并得到了质荷比m/z为720的C60谱峰和其他的有机化合物的分子谱峰。
戴国瑞
管玉国
窦红飞
南金
关键词:
富勒烯
碳60
用联立法检测还原性气体种类和浓度
1991年
本文叙述了利用气敏电阻的工作电流是还原性气体种类和浓度函数的特点,可通过两个不同种类的气敏电阻联立求出空气中只含某一种还原性气体种类和浓度的方法。
杨崇志
康昌鹤
管玉国
集成气体传感器的进展
1996年
本文综述了集成气体传感器的发展过程和工作机理,讨论了Schottky气敏二极管、MOS气敏二极管、MOS气敏场效应管、厚膜(或薄膜)集成气体传感器和集成气体传感器阵列。
管玉国
戴国瑞
焦伯恒
关键词:
气体传感器
集成化
一种双敏薄膜气体传感器的研究
被引量:2
1996年
半导体气体传感器主要应用于汽车的电子化、环境污染的检测和气体分析等领域,目前人们已做了大量工作.本课题组在长期的反复实验中发现,采用Fe2O3-SnO2(掺杂Ti)双层薄膜结构的气体传感器,在相同的条件下既可以检测乙醇气体,又可以检测NO2气体.同时,不受常见的七、八种气体的干扰.
管玉国
戴国瑞
关键词:
气体传感器
气敏传感器阵列模式识别简述
被引量:4
1997年
简要评述了气敏传感器阵列模式识别的几种典型方法和应用
焦伯恒
戴国瑞
管玉国
关键词:
气敏传感器阵列
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