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聂东林

作品数：14 被引量：12H指数：2
供职机构：山东建材学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇建筑科学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇双相
  • 3篇双相钢
  • 3篇双相钢丝
  • 3篇纳米硅
  • 3篇纳米硅薄膜
  • 3篇晶化
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇钢丝
  • 3篇CAD
  • 2篇液压
  • 2篇液压挖掘
  • 2篇液压挖掘机
  • 2篇乙烯
  • 2篇智能CAD系...
  • 2篇数据库
  • 2篇挖掘机
  • 2篇计算机控制
  • 2篇半导体
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体化学

机构

  • 10篇山东建材学院
  • 3篇浙江大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇山东建筑材料...
  • 1篇苏州大学

作者

  • 14篇聂东林
  • 7篇杨丽颖
  • 4篇韩伟强
  • 3篇韩高荣
  • 2篇杨丽颖
  • 2篇冯培恩
  • 2篇李毅
  • 1篇倪启东
  • 1篇丁子上
  • 1篇王晓敏
  • 1篇梁永绯
  • 1篇程鸿机

传媒

  • 4篇山东建材学院...
  • 2篇山东机械
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇新技术新工艺
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇青岛化工学院...
  • 1篇金属制品
  • 1篇机械工业自动...
  • 1篇设计艺术研究

年份

  • 2篇1997
  • 9篇1996
  • 3篇1995
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
液压挖掘机履带行走装置的智能CAD系统被引量：3
1995年
运用智能CAD技术,开发了一个液压挖掘机履带行走装置的智能CAD系统。从设计学的角度出发介绍了该系统的结构、模型和功能,探讨了该系统的设计思想和特点。
聂东林程鸿机杨丽颖
关键词：CAD液压挖掘机
等离子体化学气相沉积系统气路的微机控制
1996年
详述了采用微机对等离子体化学气相沉积系统气路进行控制改造中的一些关键性技术。改进后的设备多路气源气体在沉积过程中可自动控制，并用改进后的设备采用逐层生长法制备了纳米硅薄膜。
聂东林杨丽颖李毅
关键词：计算机控制纳米硅薄膜等离子体
低碳高强双相钢丝的显微组织与力学性能
1996年
论述用普通低碳２０钢生产高强度双相钢丝的可行性。实验表明，适于拔丝的双相组织是在板条马氏体基体上分布着细小的铁素体岛。这种组织经过深度拉拔后能得到很高的抗拉强度，并且能得到绳用钢丝所需要的弯曲和扭转次数。
杨丽颖聂东林王晓敏
关键词：双相钢丝显微组织力学性能
计算机控制的PCVD系统
1996年
对ＬＬ－ＰＣＶＤ（真空负载保护等离子体化学气相沉积系统）进行了计算机控制的改进，改进后的设备在沉积过程中各路源气体可进行自动控制。在改进后的设备上采用逐层生长法制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜。
聂东林杨丽颖
关键词：计算机控制半导体纳米硅薄膜PCVD
AutoCAD的参数化绘图技术及其在机械CAD中的应用
1996年
本文论述了在Auto CAD支持下的CAD系统中实现参数化绘图的方法,讨论了它们的特点,介绍了参数化绘图技术在机械CAD中的应用。
聂东林杨丽颖
关键词：参数化绘图AUTOCADCAD机械制图
正交与回归正交试验法在寻找双相钢丝的最佳生产工艺中的应用被引量：2
1995年
本文利用正交与回归正交试验法研究了双相钢丝的最佳生产工艺，并且建立了回归方程。
杨丽颖聂东林
关键词：双相钢丝正交生产工艺
高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜被引量：1
1996年
在等离子体化学气相沉积系统（PECVD）中，使用高氢稀释硅烷（SiH_4）加乙烯（C_2H_4）为反应气氛制备了纳米硅碳（nc-SiC_x：H）薄膜。随着（C_2H_4＋SiH_4）／H_2（X_g）从2％增加到5％时，由于H蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从48％下降到8％，平均晶粒尺寸在3．5～10nm。当X_g≥6％时，生成薄膜为非晶硅碳（a-SiC_x：H）薄膜。nc－SiC^x：H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相关的逾渗行为。本文将对nc－SiC_x：H薄膜的生长机制和晶化机制进行较详细讨论。
韩伟强韩高荣聂东林丁子上
低碳高强度双相钢丝的拉拔性能及影响因素被引量：1
1997年
研究了２０钢经双相处理后，其拉拔性能及其影响因素。结果表明，淬火温度、回火温度。
杨丽颖聂东林梁永绯
关键词：双相钢丝亚温淬火拉拔性能钢丝低碳钢
衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响
1996年
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构性能的影响。结果表明随着衬底温度从２４０℃升高到３２０℃，薄膜的晶态率从２４％增大为６５％，平均晶粒尺寸从６ｎｍ增大为１０ｎｍ。当衬底温度≤２００℃时，生成薄膜为ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。
聂东林杨丽颖韩伟强
关键词：硅薄膜衬底晶化纳米材料
乙烯对纳米硅碳薄膜晶化的影响
1996年
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了ｎｃ－ＳｉＣｘ∶Ｈ薄膜。系统研究了Ｃ２Ｈ４／（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）（Ｘｃ）气体流量比对ｎｃ－ＳｉＧｘ∶Ｈ薄膜的晶化和其它光电性能的影响。Ｘｃ从０．１增加为０．４时，薄膜的晶态率从４５％下降为１０％，平均晶粒尺寸从１０ｎｍ下降为５．５ｎｍ，对应薄膜中的Ｃ含量从０．０３增加为０．１２。当Ｘｃ≥０．５，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ∶Ｈ）薄膜。随着Ｘｃ从０．１增加为０．８，薄膜的暗电导率从８．５×１０－７（Ωｃｍ）－１下降为９×１０－１２（Ωｃｍ）－１，薄膜的光学能隙随Ｘｃ的增加而增加。
韩伟强韩高荣聂东林丁予上
关键词：晶化乙烯
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