苏剑锋
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 2008年
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底低温下成功生长出高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度、载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对薄膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结晶性能最佳,但发光性质不如200℃生长的样品。随载气流量从1.2～2.0slm增加的过程中,薄膜的结晶和发光性能逐渐提高。此外合适的源流量对薄膜质量的提高起到关键作用。
- 钟泽苏剑锋舒姮陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体MOCVD水汽ZNO
- UWB无线通信系统射频前端集成的关键技术研究
- 自2002年4月美国联邦通信委员会(U．S．Federal Communications Commission，FCC)正式解除超宽带(UWB)技术在民用领域的使用限制后，超宽带通信技术得到了持续的研究，直到目前仍然是学...
- 苏剑锋
- 关键词：超宽带通信技术无线通信射频前端
- 文献传递
- 硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心被引量：3
- 2007年
- 报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.
- 刘磁辉姚然苏剑锋马泽宇付竹西
- 关键词：MOCVD异质结
- ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性被引量：5
- 2008年
- 用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜,并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO/Si薄膜中缺陷以及折射率的影响,由深能级瞬态谱(DLTS)以及椭偏测量方法进行了检测。椭偏测量结果表明相对原始生长的样品,在氮气和空气退火使ZnO薄膜折射率下降,但氧气中退火使折射率升高。我们对折射率的这种变化机理进行了解释。DLTS测量得到一个与Zni**相关的深能级中心E1存在,氧气气氛退火可以消除E1能级。在氮气退火情况下Zn*i*的存在对抑制VO引起的薄膜折射率下降有利。
- 刘磁辉苏剑锋张伟英田珂傅竹西
- 关键词：氧化锌热退火深能级光电特性
- MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底低温下成功生长出高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度、载气流量及反应源的流量等参...
- 钟泽苏剑锋舒姮陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体MOCVD水汽ZNO
- 文献传递
- MOCVD方法低温下外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等...
- 钟泽苏剑锋舒妲陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体金属有机物化学气相沉积氧化锌薄膜发光性能
- 文献传递
