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蔡鑫
作品数:
15
被引量:1
H指数:1
供职机构:
苏州大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
医药卫生
电气工程
金属学及工艺
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合作作者
曹冰
苏州大学
杨帆
苏州大学
王钦华
苏州大学
徐俞
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
徐科
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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苏州大学
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作者
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蔡鑫
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曹冰
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王钦华
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徐科
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徐俞
传媒
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人工晶体学报
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一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置
本申请提供一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置,该单体器件包括蓝光外延片、层叠于蓝光外延片上的Micro‑LED晶粒阵列、P电极及N电极,所述P电极与所述N电极皆配置于所述Micro‑LED晶粒阵列的外...
杨帆
曹冰
蔡鑫
文献传递
一种石墨烯掩膜生长氮化镓薄膜的结构
本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓薄膜的结构,属于半导体技术领域。它包括氮化镓薄膜层、掩膜层和衬底层,裸露衬底层的区域为窗口区域,石墨烯覆盖区域为掩膜区域,在衬底层的窗口区域氮化镓层成核生长并覆盖掩膜层表面;所述掩...
陶佳豪
曹冰
李建洁
蔡鑫
一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro-LED器件的方法
本发明公开了一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro‑LED器件的方法。在氮化镓衬底上进行PECVD沉积反应得到石墨烯层,采用刻蚀工艺得到长条状排列或方块形呈矩阵排列的石墨烯掩膜结构图案;采用MOCVD外延工艺...
曹冰
李建洁
蔡鑫
陶佳豪
一种Micro-LED的器件结构
本实用新型涉及一种Micro‑LED的器件结构,属于半导体发光二极管技术领域。它依次包括衬底、石墨烯层、u‑GaN层、n‑GaN层、量子阱层、AlGaN层、P‑GaN层,所述的石墨烯层为沉积于衬底上,刻蚀形成的呈矩阵排列...
李建洁
曹冰
蔡鑫
陶佳豪
一种Micro-LED器件
本申请提供了一种Micro‑LED器件。该Micro‑LED器件包括LED外延片,所述LED外延片包括衬底层,衬底层上表面依次沉积无掺杂层、N型层、量子阱层、P型层;LED外延片的上表面设置有隔离槽,隔离槽深入N型层中;...
杨帆
曹冰
蔡鑫
Micro-LED的缺陷及其对光谱特性的影响研究
GaN基微型发光二极管(Micro-LED)有着非常广阔的光源照明和显示应用前景,在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和稳定性等方面相比于液晶显示(LCD)和有机发光二极管(OLED)均具有巨大的优势,同时也...
蔡鑫
关键词:
光学性能
位错
多孔型丝素蛋白/羟基磷灰石复合人工骨材料的生物相容性研究
目的:评价多孔型丝素蛋白/羟基磷灰石复合人工骨(SF/HA)的生物相容性,探讨SF/HA作为组织工程支架材料的可行性。 方法:兔骨髓基质细胞分离培养及成骨细胞诱导,并对细胞予以鉴定及检测细胞活性;以诱导的兔骨髓...
蔡鑫
关键词:
人工骨材料
羟基磷灰石
复合人工骨
文献传递
一种Micro-LED器件制备方法
本申请提供一种M i cro‑LED器件制备方法。该方法针对利用干法刻蚀制备Micro‑LED晶粒结构引发的产生侧壁损伤的问题进行改进。提出使用四甲基氢氧化铵化学腐蚀和侧壁钝化相结合的方式对其进行侧壁修复,能沿纵向腐蚀完...
曹冰
杨帆
蔡鑫
一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法
本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法,采用化学气相沉积法,在铜箔上生长得到六方氮化硼;降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱;将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层;利用氧等离子体处理六...
曹冰
徐立跃
王钦华
陈王义博
李路
杨帆
蔡鑫
李建洁
陶佳豪
一种Micro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置
本申请提供一种Mi cro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置,该微米发光二极管(M i cro‑LED)芯片的制备方法包括:将蓝光外延片制作成Mi cro‑LED晶粒阵列结构;在Mi cro‑LED晶粒侧...
曹冰
杨帆
蔡鑫
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