贾护军
- 作品数：103 被引量：81H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家部委预研基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- SiC薄膜高温压力传感器被引量：16
- 2001年
- SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
- 朱作云李跃进杨银堂柴常春贾护军韩小亮王文襄刘秀娥王麦广
- 关键词：压力传感器碳化硅
- 一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上...
- 贾护军马培苗杨志辉柴常春
- 硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术研究
- 贾护军李跃进
- 关键词：硅基
- 一种基于电荷等离子体隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于电荷等离子体隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括沟道，沟道的水平两侧分别设置有源区和漏区，源区的垂直两侧设置有第一氧化物层，第一氧化物层和源区的外周上覆盖有源区电极；沟道的垂直两侧设置...
- 贾护军杨万里曹伟涛赵淋娜苏琪钰韦星语曹震杨银堂
- 4H-SiC MESFET结构与直流特性研究被引量：1
- 2008年
- 运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。
- 徐俊平杨银堂贾护军张娟
- 关键词：埋栅
- 4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种4H‑SiC金属半导体场效应晶体管。主要解决现有技术漏极输出电流不稳定、击穿电压小的问题。其结构自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)表面有源极帽层...
- 贾护军裴晓延孙哲霖
- 文献传递
- 多晶碳化硅的氧化技术研究
- 李跃进贾护军
- 双MOS结构的光电探测器
- 本发明公开了一种具有双MOS结构的光电探测器，主要解决了光电探测器的响应度与响应速度之间制约关系的问题。该光电探测器自上而下依次包括：透明的导体氧化物层（1），上二氧化硅层（2），硅本征层（3），下二氧化硅层（4），金属...
- 贾护军范忱毛周李帅
- 文献传递
- 改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响
- 2012年
- 基于器件物理分析方法,结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型,分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基栅场效应晶体管沟道电势、夹断电压以及栅下电场分布的影响.通过与传统栅结构器件特性的对比表明,异质栅结构在碳化硅肖特基栅场效应晶体管的沟道电势中引入了多阶梯分布,加强了近源端电场;另一方面,相比于双栅器件,改进型异质栅器件沟道最大电势的位置远离源端,因此载流子在沟道中加速更快,在一定程度上屏蔽了漏压引起的电势变化,更好抑制了短沟道效应.此外,研究了不同结构参数的异质栅对短沟道器件特性的影响,获得了优化的设计方案,减小了器件的亚阈值倾斜因子.为发挥碳化硅器件在大功率应用中的优势,设计了非对称异质栅结构,改善了栅电极边缘的电场分布,提高了小栅长器件的耐压.
- 宋坤柴常春杨银堂贾护军陈斌马振洋
- 关键词：碳化硅异质栅短沟道效应
- 一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器
- 一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器，包括水平T形的沟道，水平T形沟道两侧分别设有源极和漏极；所述沟道内靠近源极的一侧设有P型C状重掺杂区，沟道的上下表面均设有栅极介质层，栅极介质层的表面设有栅极，沟道与...
- 贾护军赵淋娜苏琪钰曹伟涛杨万里韦星语曹震杨银堂
