陈彦宇
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程机械工程更多>>
- 驾驶员理论考试模拟训练系统的设计与实现
- 随着经济的发展和人民生活水平的提高，越来越多的人会参与到驾驶技术的学习中，对于驾驶培训单位而言，如何利用信息技术，提高广大学员的驾驶理论考试通过率，是当前共同面临的问题。在此背景下，浙江交通技师学院拟开发一套驾驶员理论考...
- 陈彦宇
- 关键词：驾驶员模拟训练系统ASP.NET技术模块化设计
- 文献传递
- 铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
- 2007年
- 在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响。实验结果表明:PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导(gm)明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常。
- 翟亚红李平张树人杨成韬阮爱武蔡道林欧阳帆陈彦宇
- 关键词：PZT薄膜铁电电容跨导
- 集成铁电存储器的研究
- 铁电存储器由-于-它的低功耗、低电压、高的读写速度以及高保持性而被认为是一种理想的非挥发性存储器。国外已经有了产品,但是国内一直是个还没有集成器件的报道。
- 蔡道林李平翟亚红阮爱武陈彦宇欧阳帆
- 文献传递
- MFMIS铁电场效晶体管的制备及存储特性被引量：3
- 2008年
- 在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压(C-V)特性曲线和逆时针漏电流-栅电压(Id-Vg)特性曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能,且在-5^+5 V的电压下存储窗口为2 V。
- 蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松欧阳帆陈彦宇
- 关键词：磁控溅射铁电场效应晶体管
- 应用于FRAM的集成铁电电容的研究
- 2008年
- 集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。
- 蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松陈彦宇欧阳帆
- 关键词：铁电电容铁电存储器
- 一种新型铁电存储器脉冲式读出方法的研究
- 本文首先介绍了先进的铁电存储器脉冲式读出机理(pulse-sensing scheme),采用这种读出机理可以减小铁电材料疲劳特性对存储器的影响,但是基于这种读出机理的各种原有读出方法具有读出周期长的缺点。本文提出的改进...
- 陈彦宇阮爱武李平蔡道林欧阳帆翟亚红
- 关键词：铁电存储器读出电路
- 文献传递
- 320×256红外焦平面读出电路研究
- 红外焦平面阵列(IRFPA)成像技术是近30年才发展起来的,它由红外探测器和读出电路构成。对于成熟的红外焦平面阵列来说,主要是读出电路限制单元电路的性能,而不是探测器本身,因此高性能读出电路的设计非常关键。本课题在分析国...
- 陈彦宇
- 关键词：读出电路
- 文献传递
