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陈红兵

作品数:96 被引量:103H指数:5
供职机构:宁波大学更多>>
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相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

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  • 42篇下降法
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作者

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  • 8篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2003
96 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
固相混合法制备Ce:LSO粉体的研究被引量:1
2005年
采用高纯氧化镥、氧化硅及氧化铈粉体混合后分别在600℃、900℃及1200℃进行煅烧2h,当煅烧温度为1200℃时,有少量硅酸镥生成,但仍有大量氧化镥和氧化硅残留,制备出的粉体颗粒呈不规则状,带有较尖锐的棱角,而且随着反应温度的升高,有明显的团聚现象。在对1200℃煅烧粉体的光谱检测中发现了266nm吸收宽峰,位于381nm的荧光发射峰,位于298nm处的荧光激发峰,与硅酸镥单晶相比,各峰位置有所偏移。
蒋成勇陈红兵周昌勇
关键词:粉体
双折射晶体α-BaB<,2>O<,4>的坩埚下降法生长
低温相BaB<,2>O<,4>晶体(β-BBO)是性能优良的非线性光学晶体,而高温相BaB<,2>O<,4>晶体(α-BBO)无非线性光学效应,但具有较大的双折射值(Δn1.06μm=0.116),在较宽波长范围(189...
陈红兵葛从辛王金浩徐家跃范世(马岂)
关键词:双折射晶体坩埚下降法
文献传递
超快闪烁晶体碘化亚铜的生长和性能研究
潘建国陈红兵赵玲燕罗虹娄丙谦杨书颖
碘化亚铜共具有α、β、γ三种晶相,其中低温γ晶相的CuI具有超快的闪烁特性.它是在温度低于350℃合成的立方结构的p型半导体材料,具有3.leV的直接能隙.它的空间群为F-43m,属于立方晶系.超快闪烁CuI晶体的光产额...
关键词:
关键词:碘化亚铜晶体生长发光机理
坩埚下降法生长近化学计量比Cr∶LiNbO_3晶体及光谱研究被引量:1
2010年
以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(60~80℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法技术生长了Cr3+掺杂的近化学计量比的LiNbO3晶体。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)分析了晶体的主要成分,其中Cr3+、Li2O、Nb2O3的含量分别为0.62mol%、49.23mol%和50.15mol%,并在FT-IR谱中观察到了因组分变化引起的OH-伸缩振动的变化。测定了晶体的吸收与发射光谱,观测到Cr3+在晶体中有两个宽且强的吸收带及两个微弱的吸收线,两宽带中心波长分别为480nm与658nm,对应于Cr3+的4A2→4T1与4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁,并观测到了微弱的684nm和728nm的R线吸收。同时测定了Cr3+∶LiNbO3晶体在670nm激发下的荧光光谱,是由4T2→4A2跃起所产生的850~1150nm的宽带荧光发射发光带,此发光带是由于取代Li+与Nb5+格位的Cr3+的4T2→4A2能级跃起的复合发光所致,并计算了该晶体的晶场强度以及Racah参数等。
王金浩张约品夏海平陈红兵
关键词:坩埚下降法近化学计量比CR^3+LINBO3
一种用预制的YAG纳米粉作为烧结助剂的碳化硅陶瓷生产工艺
本发明涉及陶瓷生产技术,特别是碳化硅陶瓷的液相烧结生产技术。本发明提供一种新的技术方案。本发明的技术方案是用预制的YAG纳米粉作为烧结助剂。本发明提供的技术方案有助于避免因Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
李榕生水淼陈红兵干宁王霞宋岳胡乾林安任元龙
文献传递
掺Co钨酸镉单晶体的坩埚下降生长及光谱特性被引量:1
2011年
应用坩埚下降法,采用70℃.cm-1的固液界面温度梯度与0.50 mm.h-1生长速度,生长出了初始Co掺杂摩尔百分浓度为0.5 mol%、尺寸为Ф25 mm×120 mm的钨酸镉单晶体。晶体呈透明深蓝色。用XRD表征了获得的晶体。观测到518,564和655 nm三个可见波段吸收带以及发光中心1 863 nm(1 323~2 220 nm)的超宽吸收带。可见波段的吸收归属于Co2+在八面晶格场中4T1(4F)→4A2(4F),4T1(4F)→4T1(4P)跃迁叠加,而红外波段的宽带吸收则为八面体场Co2+的4T1(4F)→4T2(4F)能级跃起所致。从吸收特性表明,Co离子掺杂于畸变的氧八面体中,呈现+2价态。根据吸收光谱计算出晶格场参数Dq=990 cm-1,Racah参数BC=726.3 cm-1。在520 nm波长光的激发下,观察到778 nm波段的荧光发射,归属于八面体晶格场中Co2+的4T1(4P)→4T1(4F)能级的跃迁。从吸收与荧光强度的变化推断:沿着晶体生长方向,Co2+浓度逐渐增加,有效分凝系数小于1。
虞灿夏海平王冬杰陈红兵
关键词:坩埚下降法光谱
Y/Gd/Eu三元稀土层状化合物的离子交换行为与光学性能被引量:3
2019年
采用低温液相沉淀技术合成出硝酸盐类Y/Gd/Eu三元体系的稀土层状化合物,通过自组装获得了花瓣状超薄纳米片,并研究了该化合物的硫酸根离子交换行为和光学性能。研究表明,当硫酸根与硝酸根的摩尔比R=0.25时,硫酸根离子可以完全置换层状化合物层间的硝酸根离子。离子交换后层状化合物的发光强度减弱,Gd^(3+)离子掺杂使Eu^(3+)离子的配位环境发生改变,从而导致磁偶极子跃迁~5D_0→~7F_1的2个发射峰的相对强度发生变化。硫酸根离子交换改变了层状化合物的热分解路径,阻碍了煅烧过程中颗粒间的表面扩散,从而获得了高分散的氧化物荧光粉(平均粒度~120nm),该粉体呈现出Eu^(3+)离子的~5D_0→~7F_J的特征红光。Gd^(3+)离子掺杂有效敏化了氧化物固溶体中Eu^(3+)离子的发光,煅烧温度的提高也进一步增加了粉体的发光强度与量子效率,同时缩短了荧光寿命。
吕滨程鹏陈红兵孙志刚潘建国
关键词:氧化钇氧化钆
新型双折射晶体a-BBO的坩埚下降法生长研究
陈红兵夏海平王金浩葛从辛章践立
主要用于制作光隔离器、光环行器、光束分离器、偏光器等光学元件,高温相偏硼酸钡(a-BBO)晶体在相关光学元件制造技术领域具有重要应用价值,近年来宁波大学固体材料化学研究所首次采用坩埚下降法进行了双折射晶体a-BBO的生长...
关键词:
关键词:双折射晶体晶体生长坩埚下降法
氟化物激光晶体及其在固体激光器中的应用被引量:1
2007年
固体激光基质材料可以分为晶体、玻璃、光纤和陶瓷。相对于其他材料,晶体的优点表现在热导率高、荧光谱线窄、硬度比较大等方面,因而在固体激光器中获得了更广泛的利用。作为一类重要的激光基质材料,氟化物激光晶体种类多,研究活跃,一直是激光材料的热点之一。介绍CaF_2、LaF_3、MnF_2、ZnF_2、KMgF_3等激光晶体基质以及Nd、Er、Cr、Yb、Co等离子掺杂激光晶体,特别是MgF_2、YLF、LiSAF等激光晶体,探讨了这些材料的发光特性,并与YAG等常用氧化物激光晶体进行了比较。与其他激光介质相比,氟化物激光晶体具有自发荧光寿命长、折射率受温度影响小、热透镜效应小、热稳定性好等优点,决定了其在固体激光器领域特殊的应用价值。在对氟化物晶体的激光器应用分析基础上,展望了氟化物激光晶体未来的研究前景。
武安华徐家跃陈红兵
关键词:离子掺杂发光特性
一种稀土卤化物混合闪烁晶体及其制备方法
本发明公开了一种稀土卤化物混合闪烁晶体及其制备方法,该稀土卤化物混合闪烁晶体的组成化学式为Cs<Sub>2</Sub>Li(Y<Sub>1‑x</Sub>La<Sub>x</Sub>)<Sub>1‑y</Sub>Ce<S...
潘尚可张鹏潘建国陈红兵栗茹章政
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