马全宝
- 作品数：27 被引量：93H指数：6
- 供职机构：昆明理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- 氧分压对直流磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电薄膜特性的影响被引量：26
- 2007年
- 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
- 马全宝叶志镇何海平朱丽萍张银珠赵炳辉
- 关键词：ZNO:GA透明导电氧化物薄膜氧分压光电特性
- 高效空气电极的制备被引量：5
- 2004年
- 空气极是整个空气电池中的关键所在 ,空气极的性能受着防水层的性能、催化层的性能、制备工艺等多种因素的影响 .本实验对比了不同含量的聚四氟乙烯、活性碳颗粒等做成的防水层的特性及不同的催化剂 (银粉、La -Ca -Co -O等催化剂 )做成的催化层的特性 .用电化学工作站研究了空气电极的析氧和氧还原特性 ,认为用碳酸氢铵为造孔剂。
- 杨勇彪马全宝张正富郭富强陈红宇
- 关键词：催化层空气电极锌-空气电池
- 纳米有序结构制备技术现状被引量：4
- 2004年
- 随着对纳米材料需求的不断增长,人们对如何制备纳米有序结构的技术产生了极大的兴趣.主要概述了近期来制备纳米有序结构的一些基本方法例如膜板合成法、自组织方法、欠电位沉积法、掠角沉积法等,并在此基础上简要的介绍了一些相关的概念原理和应用.
- 杨勇彪张正富陈庆华徐明丽马全宝
- 关键词：纳米有序结构纳米材料
- 铜基无氰镀银的研究被引量：11
- 2004年
- 实验研究了以海因为络合剂在铜基上无氰镀银的工艺,在研究单因素条件的基础上利用正交实验进一步研究了最佳配方。此配方可大大提高镀液的稳定性,并使镀层光亮细致,同时研究了温度、pH值、络合剂等对镀液性能及镀银层性能的影响。
- 杨勇彪张正富陈庆华徐明丽马全宝
- 关键词：络合剂海因镀层电镀工艺
- 透明的高导电近红外反射镀膜玻璃及其制备方法
- 本发明公开的透明的高导电近红外反射镀膜玻璃由衬底和镀在衬底上的近红外反射膜层组成，近红外反射膜层的电子载流子浓度在1.0×10<Sup>21</Sup>cm<Sup>－3</Sup>～6.0×10<Sup>21</Sup...
- 叶志镇马全宝
- 文献传递
- 溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响被引量：1
- 2007年
- 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.
- 马全宝朱丽萍叶志镇何海平王敬蕊胡少华赵炳辉
- 关键词：ZNO:GA透明导电氧化物薄膜光电特性
- 钙钛矿型La<Sub>x</Sub>Ca<Sub>1-x</Sub>CoO<Sub>3</Sub>/Ag复合粉体氧还原催化剂及制备方法
- 本发明是一种钙钛矿型La<Sub>x</Sub>Ca<Sub>1-x</Sub>CoO<Sub>3</Sub>/Ag复合粉体氧还原催化剂的制备方法。以硝酸钙、硝酸钴和硝酸镧为原料经过溶胶-凝胶、干燥、陈化、烘干、高温焙烧...
- 张正富马全宝杨伦权陈庆华
- 文献传递
- 钙钛矿型氧还原催化剂的研究
- 本论文对锌-空气电池及其空气电极进行了简述，介绍了锌-空气电池用催化剂特别是钙钛矿型复合氧化物催化剂的研究现状及进展，并对钙钛矿型复合氧化物的制备方法作了简要的介绍。在对文献调研的情况下，最终选择用溶胶-凝胶法制备钙钛矿...
- 马全宝
- 关键词：钙钛矿复合氧化物催化剂溶胶-凝胶法
- 文献传递
- GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
- 2009年
- 本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果。在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒。因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构。
- 王敬蕊叶志镇杨志祥马全宝姜静胡少华何海平
- 关键词：GAN纳米棒
- 透明的高导电近红外反射ZnO：Ga薄膜的制备及特性研究
- 透明导电氧化物作为一种重要的光电子信息材料，在制造发光器件、薄膜太阳能电池、表面声波器件、传感器、平板液晶显示器和红外反射器等领域得到了广泛的应用。在这类材料中，氧化锌(ZnO)是一种宽禁带(3.3 eV)的n型半导体材...
- 马全宝
- 关键词：半导体材料直流反应磁控溅射
