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吕劲

作品数:23 被引量:5H指数:1
供职机构:北京大学物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家攀登计划博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇会议论文
  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇导体
  • 4篇电子结构
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇输运
  • 4篇子结构
  • 4篇量子
  • 4篇超导
  • 4篇超导体
  • 3篇晶体管
  • 3篇超导机制
  • 3篇C_(60)
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇输运性质
  • 2篇能隙
  • 2篇迁移率
  • 2篇准粒子
  • 2篇量子输运
  • 2篇硅烯

机构

  • 21篇北京大学
  • 2篇北京应用物理...
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇圣路易斯华盛...

作者

  • 21篇吕劲
  • 3篇高政祥
  • 3篇章立源
  • 2篇张信威
  • 2篇赵宪庚
  • 1篇张爽
  • 1篇周云松
  • 1篇罗光富
  • 1篇荆西平
  • 1篇费瑞翔
  • 1篇刘伟
  • 1篇张树霖
  • 1篇匡小军
  • 1篇杨金波
  • 1篇王春海
  • 1篇李俊
  • 1篇宋志刚

传媒

  • 3篇北京大学学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇低温与超导
  • 1篇物理
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第十二届国际...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
最大能隙拓扑绝缘体
2015年
按照导电性通常把晶体分为金属、半金属、半导体和绝缘体四类,他们的导电性依次降低。近些年来,一种新的晶体被发现,它的体内是绝缘的而表面可以是金属态,这种特性是由贝里曲率在布里渊区域的拓扑性质决定的,因此被称为拓扑绝缘体。
宋志刚杨金波吕劲
关键词:能隙狄拉克方程自旋轨道耦合色散关系表面态相对论效应
硅烷的GW准粒子能带修正和BSE光吸收谱的计算
2013年
利用基于GW近似和Bethe-Salpeter方程(BSE)的第一性原理多体微扰方法,计算了二维间接带隙半导体材料椅形硅烷(chairlike silicane)能带的准粒子修正以及光吸收谱。椅形硅烷的电子间强的相互作用显著影响着电子结构,其间接带隙从2.08 eV修正到3.53 eV,直接带隙从2.44 eV修正到3.85 eV。通过比较GW和BSE的光学吸收谱,发现椅形硅烷的束缚激子的束缚能可以达到0.40 eV,远大于硅体材料的15 meV激子束缚能。椅形硅烷的显著激子效应对于硅烯纳米材料的光电子器件应用有重要意义。
费瑞翔罗光富高政祥吕劲
关键词:GWBSE
中国物理学会2012年秋季学术会议亚10nm MoS2晶体管--通向未来的集成电路
摩尔定律说集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍.目前的计算机晶体管尺寸已经缩短到22 nm.
吕劲
关键词:MOS2晶体管第一性原理计算量子输运
通过BN片打开石墨烯能隙以及石墨炔的准粒子能级和激子效应
<正>双层石墨烯被电场打开的能隙小(最大0.25eV),制备出的FET开关比远小于石墨带的106。需要打开到0.4eV以上才能有达到实际需要的开关比。理论上预言单层石墨烯被放置在BN衬底上可以被打开0.053eV小能隙。...
吕劲
文献传递
石墨烯的能带调控
吕劲
MgTiO3的远红外反射光谱拟合与活性振动模指认
微波介电陶瓷的介电性质与其晶格振动有关,材料品格振动模的指认是研究其品格振动与微波介电性质关系的基础。MgTiO陶瓷是一种重要的微波介电陶瓷,其具有高的品质因子(Qxf~170000 GHz at 8GHz),近年来人们...
王春海荆西平匡小军吕劲
文献传递
掺杂C_(60)超导体研究进展
1995年
较全面介绍了修杂C(60)超导体实验和理论研究的新进展.
吕劲章立源
关键词:掺杂超导体超导机制超导电性C60
石墨烯/铜电极的准二维隧穿场效应管输运性质模拟
利用石墨烯实现电学器件的高开关比,同时还不降低石墨烯本身的电学性能,是当前研究的热点之一,其中以石墨烯为电极的隧穿场效应管(Tunnel field effect transistor,TFET)是其中一种有力的手段.
倪泽远吕劲高政祥
关键词:TUNNELTRANSISTORINITIO
HgBa_2 CaCu_2 O_(6+δ)的内层电子激发能的密度泛函理论研究(英文)
2001年
运用相对论的自旋极化局域密度函数方法计算了HgBa2 CaCu2 O6+δ 的电子结构。得到的内层电子激发能基本上与X光电子谱一致 ,其中自旋
吕劲张爽章立源李俊张信威赵宪庚
关键词:高温超导体电子结构密度泛函理论
单层InSe的多体效应与晶体管性能极限
王洋洋费瑞祥吕劲
共3页<123>
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