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吴小清

作品数:82 被引量:178H指数:8
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 43篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 19篇一般工业技术
  • 15篇电子电信
  • 13篇理学
  • 7篇电气工程
  • 6篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 19篇压电
  • 16篇铁电
  • 15篇铁电薄膜
  • 15篇钛酸
  • 14篇先驱体
  • 12篇厚膜
  • 11篇红外
  • 10篇探测器
  • 10篇铌酸
  • 10篇铌酸钾钠
  • 10篇红外探测
  • 10篇红外探测器
  • 9篇乙烯
  • 8篇多孔
  • 8篇压电厚膜
  • 8篇溶胶
  • 8篇钛酸铋
  • 8篇钛酸铋钠
  • 8篇无铅
  • 6篇乙烯醇

机构

  • 82篇西安交通大学
  • 1篇同济大学

作者

  • 82篇吴小清
  • 56篇姚熹
  • 52篇任巍
  • 38篇史鹏
  • 18篇张良莹
  • 15篇王玲艳
  • 14篇陈晓峰
  • 12篇纪红芬
  • 7篇汪敏强
  • 6篇赵金燕
  • 6篇赵蓓
  • 6篇姚姗姗
  • 6篇闫兴伟
  • 4篇阎鑫
  • 4篇徐峰
  • 4篇李少康
  • 4篇殷明志
  • 3篇林鹏
  • 3篇李海燕
  • 3篇宋晓平

传媒

  • 5篇压电与声光
  • 3篇硅酸盐学报
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇西安交通大学...
  • 2篇红外技术
  • 2篇材料研究学报
  • 2篇西安工业学院...
  • 2篇半导体光电
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇Journa...
  • 1篇自动化与仪表
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇西安工业大学...
  • 1篇2002年西...
  • 1篇2005(第...
  • 1篇第三届中国(...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 5篇2007
  • 4篇2006
  • 8篇2005
  • 7篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇1999
  • 3篇1998
  • 3篇1997
82 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnSe/SiO_2复合材料光学吸收特性的研究被引量:3
2005年
采用溶胶-凝胶原位析晶法和高温还原热处理工艺制备了ZnSe/SiO2纳米复合材料.通过吸收光谱和Z-Scan技术对材料的光学吸收特性进行了表征.在吸收光谱中,不同ZnSe摩尔分数的样品的吸收边相对于ZnSe体材料发生了不同程度的蓝移,蓝移量与复合材料中ZnSe纳米晶粒的尺寸有关,根据量子尺寸效应估算了复合材料中ZnSe纳米晶粒的平均尺寸大约为3~4 nm. 利用Z-Scan技术测定了ZnSe摩尔分数为0.01和0.03的ZnSe/SiO2纳米复合材料的双光子吸收系数.ZnSe/SiO2纳米复合材料在不同强度的入射光的激发下其出射光强度与入射光强度之间的关系呈现光学限幅特征,ZnSe摩尔分数为0.01的样品的限幅阈值为5 962 GW/m2,嵌位输出值约为4 800 GW/m2,限幅的破坏阈值为12 400 GW/m2.
郝海燕姚熹万幸汪敏强吴小清
关键词:光学吸收
镧钛酸铅铁电薄膜成膜机理探讨被引量:5
1998年
采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜进行了热处理,用扫描电镜对不同热处理工艺和不同厚度的PLT薄膜的形貌进行了分析。结果表明,快速热处理工艺有利于活性高,较薄膜层的结晶和致密化反应;PLT薄膜在传统和快速热处理过程中的形成过程与蒸发和溅射薄膜的核生长型薄膜的形成过程相似,薄膜的形成经历了岛状-网状-连续的过程,即随层数的增加,薄膜逐渐从不连续转变为连续,而热处理工艺只影响形成连续薄膜的厚度。
吴小清任巍张良莹姚熹
关键词:铁电薄膜
PZT薄膜微图形的制作精度的研究被引量:9
1998年
采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高保真的从掩膜到薄膜的图形转移,晶粒团聚区域的尺寸基本决定了图形转移的误差。
刘秦林殷茵吴小清张良莹姚熹
关键词:锆钛酸铅刻蚀微观结构PZT
热释电薄膜红外探测器的微图形化及其性能
采用传统光刻工艺的化学腐蚀和剥离方法,分别实现了钛酸铅铁电薄膜、铂和金电极的微图形化,成功地制备了单元面积为80μm×80μm的64元热释电薄膜红外探测器阵列,其性能接近红外成像应用的实用化水平.结果表明:传统的光刻工艺...
吴小清李波任巍姚熹
关键词:铁电薄膜
文献传递
铅基铁电薄膜低温结晶和单层厚度提高及其性能研究被引量:1
2005年
非致冷红外焦平面阵列是小型、低功耗和高可靠性红外成像系统的关键组成部分,是国际的研究热点之一.铅基铁电薄膜是制备非致冷红外焦平面阵列的重要材料.然而,在湿化学方法制备铅基铁电薄膜中,有两个因素影响着铁电薄膜与微电子电路的集成一是铁电薄膜的结晶温度较高,一般在550~700℃之间,这一温度超过了常规微电子工艺的温度,导致铁电薄膜工艺与微电子工艺的兼容性差;二是一次成膜厚度薄,一般在0.1~0.2μm之间,大于此厚度的薄膜必需采用多次甩胶-预热处理过程,致使制膜周期冗长,这一工艺过程也降低了铁电薄膜制备工艺与微电子工艺的兼容性.在我们的研究工作中,我们选择聚合物聚醋酸乙烯酯(PVAC)为先体溶液的添加剂,采用金属有机物热分解法,对铅基铁电薄膜制备和性能进行了研究.结果表明PVAC不但能提高薄膜的单层厚度,还可以降低薄膜的结晶温度.通过加入PVAC,获得了单层厚度达到0.83μm、性能优良的PbTi O3和Pb(ZrxTi1-x)O3铁电薄膜,同时将薄膜的结晶温度降低了50~100℃.我们将讨论PVAC和工艺参数对铁电薄膜结晶、成膜特性和电学性能的影响,并对PVAC作用机理进行分析.
吴小清任巍姚熹
关键词:铁电薄膜微电子工艺微电子电路成膜特性红外成像系统金属有机物
一种铌酸钾钠无铅压电厚膜的制备方法
本发明涉及无机材料中铁电/压电厚膜的制备方法,公开了一种铌酸钾钠(K<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub>NbO<Sub>3</Sub>,KNN)无铅压电厚膜的制备方法,该方法基于改性的化学溶液涂敷...
任巍王玲艳姚姗姗史鹏纪红芬闫兴伟陈晓峰吴小清姚熹
文献传递
一种低温大单层厚度钛酸铅铁电薄膜的制备方法
本发明公开了一种低温大单层厚度钛酸铅铁电薄膜的制备方法,用聚醋酸乙烯酯PVAC作为钛酸铅PbTiO<Sub>3</Sub>铁电薄膜先驱体的添加剂,制备PbTiO<Sub>3</Sub>-PVAC复醇盐-有机物溶液,然后将...
吴小清任巍姚熹李海燕
文献传递
金属有机物热分解法制备锆钛酸铅薄膜研究
1994年
采用金属有机物热分解(MOD)法,通过对原料的提纯和合成工艺的优化,消除原料中的微量杂质,控制环境温度,从而获得了透明、稳定的锆钦酸铅先体溶液.锆铁酸铅先体溶液经过多次成膜,在Pt/SiO2/Si基片上制备出厚度为0.6um,均匀、无裂纹、无针孔的薄膜.经550℃保温处理后,得到假立方晶系的钙钦矿结构的薄膜.借助扫描电镜形貌分析表明,其晶粒大小约为2~3μm.
熊四辈吴小清张良莹姚熹
关键词:锆钛酸铅铁电薄膜钙钛矿
用聚乙烯醇作为模板制备多孔二氧化硅薄膜的方法
本发明涉及无机多孔材料技术领域,具体涉及一种用聚乙烯醇(PVA)作模板用于多孔二氧化硅薄膜的制备方法。本发明可以单独使用任意一种聚合度的PVA制备多孔SiO<Sub>2</Sub>薄膜,其薄膜的孔径大小和分布可以通过加入...
吴小清姚熹汪敏强
文献传递
铋锌铌-钛酸锶钡复合介电可调厚膜的制备方法
一种铋锌铌-钛酸锶钡复合介电可调厚膜的制备方法,将铋锌铌纳米粉体加入钛酸锶钡溶胶先体中共混,再采用旋涂工艺沉积在基底材料上,使铋锌铌纳米粉体颗粒均匀分散于连续的钛酸锶钡薄膜介质中。本发明选用两种不同结构和作用机理的微波可...
史鹏任巍吴小清张镭黄瑞峰姚熹
文献传递
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