2024年12月25日
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张文海
作品数:
14
被引量:1
H指数:1
供职机构:
苏州大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电气工程
理学
电子电信
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合作作者
王子欧
苏州大学
张一平
苏州大学
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机构
14篇
苏州大学
作者
14篇
张文海
12篇
王子欧
2篇
张一平
年份
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2024
1篇
2023
2篇
2022
5篇
2021
2篇
2020
1篇
2012
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14
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关于宽相依随机变量的B-C引理和加权和的强收敛性
众所周知,强收敛性理论和B-C引理一直是概率论中研究的热点问题,长期以来受到众多学者的关注,并取得了丰富的成果.在这篇文章里,我们在Wang等(2011,b)基础上,在更弱的条件下研究了加权和的强收敛性和B-C引理,得到...
张文海
关键词:
强收敛性
加权和
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一种基于阻类存储器的电平触发D触发器电路
本发明公开了一种基于阻类存储器的电平触发D触发器电路,包括一MOSFET管,第一忆阻器、电阻、第一反相器和第二反相器;MOSFET管的源极电性连接输入信号,MOSFET管的栅极电性连接时钟脉冲信号,MOSFET管的漏极分...
张文海
王子欧
文献传递
基于阻类存储器的2bit和4bit华莱士树型乘法器电路
本发明公开了一种基于阻类存储器的2bit和4bit华莱士树型乘法器电路,其中,2bit华莱士树型乘法器电路包括第一与门电路、第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和1个第一异或门电路,其中,...
张文海
王子欧
巫超
一种基于阻类存储器的电平触发D触发器电路
本实用新型公开了一种基于阻类存储器的电平触发D触发器电路,包括一MOSFET管,第一忆阻器、电阻、第一反相器和第二反相器;MOSFET管的源极电性连接输入信号,MOSFET管的栅极电性连接时钟脉冲信号,MOSFET管的漏...
张文海
王子欧
文献传递
一种基于阻类存储器的D触发器电路及寄存器
本实用新型公开了一种基于阻类存储器的D触发器电路及寄存器,所述D触发器电路包括第一锁存器电路、第二锁存器电路和第一反相器;所述第一锁存器电路和第二锁存器电路拼接构成该D触发器电路。本实用新型使得电路结构更加简单,版图面积...
张文海
王子欧
巫超
文献传递
一种基于阻类存储器的D触发器电路及寄存器
本发明公开了一种基于阻类存储器的D触发器电路及寄存器,所述D触发器电路包括第一锁存器电路、第二锁存器电路和第一反相器;所述第一锁存器电路和第二锁存器电路拼接构成该D触发器电路。本发明使得电路结构更加简单,版图面积具有更大...
张文海
王子欧
巫超
文献传递
基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器
本发明公开了一种基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器,包括一选通管;用于存储写入时的数据的第一忆阻器;用于辅助判断第一忆阻器是否写入正确的第二忆阻器;一定值电阻;所述选通管的源极电性连接到DL端,所述选通管的栅极电性连...
王子欧
巫超
张文海
张一平
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基于蕴含逻辑的自容错忆阻存储器单元纠错方法
本发明公开了一种基于蕴含逻辑的自容错忆阻存储器单元纠错方法,包括如下步骤:步骤一、在对存储器单元进行下一次写操作之前,预读取存储器单元的节点电压并判定失效种类,当预读取结果为写“0”失效时,进入步骤二,当预读取结果为写“...
巫超
王子欧
张文海
基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器
本实用新型公开了一种基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器,包括一选通管;用于存储写入时的数据的第一忆阻器;用于辅助判断第一忆阻器是否写入正确的第二忆阻器;一定值电阻;所述选通管的源极电性连接到DL端,所述选通管的栅极电...
王子欧
巫超
张文海
张一平
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一种基于阻类存储器的电平触发D触发器电路
本发明公开了一种基于阻类存储器的电平触发D触发器电路,包括一MOSFET管,第一忆阻器、电阻、第一反相器和第二反相器;MOSFET管的源极电性连接输入信号,MOSFET管的栅极电性连接时钟脉冲信号,MOSFET管的漏极分...
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