张羽
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- ZnGeP_2单晶生长温场研究被引量：2
- 2009年
- 根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿（101）面解理,其回摆峰尖锐无劈裂。对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2-12μm波段内红外透过率达45%以上。研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高。
- 孙永强赵北君朱世富赵欣杨慧光程江张羽陈宝军何知宇
- 关键词：晶体生长红外透过率X射线衍射
- 通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系被引量：2
- 2008年
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明VZ-n对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而V0P的影响较小。
- 程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽
- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 磷锗锌单晶体的腐蚀研究被引量：3
- 2010年
- 报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40%)∶HNO3(65%)∶CH3COOH(99.5%)∶H2O∶I2=2 mL∶2 mL∶1 mL∶1 mL∶4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2。从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析。
- 张羽赵北君朱世富陈宝军何知宇孙永强程江梁栋程
- 关键词：化学腐蚀
- 通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×10～6Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×1...
- 程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽
- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 文献传递
