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徐庆岩

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：苏州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇透光性
  • 2篇掺杂
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇金属
  • 1篇金属掺杂
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇过渡金属
  • 1篇过渡金属掺杂
  • 1篇CU
  • 1篇CU掺杂

机构

  • 2篇苏州大学
  • 1篇江苏省薄膜材...

作者

  • 2篇徐庆岩
  • 1篇吴雪梅
  • 1篇诸葛兰剑
  • 1篇吴兆丰
  • 1篇陈学梅

传媒

  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Cu掺杂浓度对ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质的影响被引量：3
2008年
采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。XRD显示,适当的Cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射峰的强度;用紫外分光光度计测量了样品的透光性,结果显示,随掺杂量的增加,其透光性减弱,但在Cu掺杂量为9.6%时其透光性还在60%以上。用四探针测量了样品的表面电阻率,薄膜的电阻率随Cu掺杂量的增加而增加。
徐庆岩吴雪梅诸葛兰剑陈学梅吴兆丰
关键词：CU掺杂ZNO薄膜
过渡金属掺杂ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质研究
氧化锌/(ZnO/)是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,它的晶格常数为a=0.32533nm,c=0.52073nm。由于它具有宽禁带/(3.27eV/)和高激子结合能/(约60meV/)等优良的性能,可广泛的应用于太阳能...
徐庆岩
关键词：光学性质电学性质
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