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房本英

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
发文基金：山东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇自旋
  • 1篇基态能
  • 1篇基态能量
  • 1篇半导体
  • 1篇SIC

机构

  • 1篇内蒙古民族大...
  • 1篇烟台大学

作者

  • 1篇王子安
  • 1篇李子军
  • 1篇李岗
  • 1篇房本英

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
自旋对SIC半导体二维磁极化子基态能量的影响
2006年
应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SIC半导体性质的影响。基态能量E0+(对应于电子自旋量子数为正)和E0-(对应于电子自旋量子数为负)都随磁场增加而线性减少:在0 T时,E0+和E0-都为-76.24 MEV;在25 T时,E0+和E0-分别为-68.50 MEV和-71.39 MEV。自旋能量与E0+和E0-之比P0+和P0-都随磁场增加而快速增加:在0 T时,P0+和P0-都为0;在20 T时,P0+为0.627;在25 T时,P0-为0.453。自旋能量与LANDAU基态能量之比P2始终为0.23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加:在0 T时,P1和P3都为0;在5 T时,P3为0.628;在40 T时,P1为0.306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。
李子军王子安房本英李岗
关键词：SIC半导体基态能量
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