- 配体氮上取代基对二齿双氨基脒钴(Ⅱ)型ALD前驱体稳定性的影响
- 2008年
- 新型的二齿双氮基脒金属前驱体bis-amidinate在原子层气相沉积(ALD)中表现出了广阔的应用前景。前驱体适用性取决于其是否具备适当的稳定性,而bis-amidinate型前驱体的稳定性可由侧链取代基上β基团的迁移重排来表征,利用密度泛函理论方法研究了配体氮原子上不同取代基对bis-amidinate型Co前驱体稳定性的影响.结果表明,β-H的迁移较β-Me的迁移相对容易,而β基团在不同取代基前驱体中的迁移能力次序为:异丙基(β-H)>2-丁基(β-H)>叔丁基(β-CH_3).
- 李嘉烨吴金平周成冈姚淑娟韩波
- 关键词：过渡态密度泛函理论
- 氧化铟锡半导体材料表面吸附性质的密度泛函理论研究
- 本文根据密度泛函理论计算研究了In2O3和ITO(100)表面的表面形态以及气体小分子，如氧气、水分子、氨分子和乙烯分子在其表面吸附机制。首先研究了不同In2O3、ITO块体性质，发现计算结果与实验报道结果一致。由于铟锡...
- 李嘉烨
- 关键词：密度泛函理论铟锡氧化物表面形态
- 文献传递
- 氧化性与还原性气体对氧化铟及氧化铟锡(100)表面的修饰作用
- 2009年
- 采用第一原理方法计算了氧化铟(In2O3)及氧化铟锡(ITO)材料中In2O3(100)和ITO(100)表面结构特征及氧化性气体O2和还原性气体NH3在该表面的成键机理、表面结构和表面电荷分布等性质.计算结果表明,In2O3及ITO薄膜表面的金属原子在优化过程中会向表面方向膨胀,而次外层氧原子则由于膨胀程度不同形成了两种配位环境的表层氧原子.吸附在表面上的O2分子对称轴平行于表面,由于表层金属原子d轨道电子流向O2的空π*反键轨道,在表面层中形成大量空穴,提高材料空穴注入效率,相反NH3中氮原子sp3杂化轨道电子流入表层金属原子的空轨道不利于材料提供空穴.
- 陈苏李嘉烨吴金平
- 关键词：氧化铟氧化铟锡表面修饰密度泛函理论
