李特
- 作品数：86 被引量：147H指数：8
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- 相关领域：电子电信理学文化科学医药卫生更多>>
- 基于光子晶体结构的光信号延迟器件
- 本发明公开了基于光子晶体结构的光信号延迟器件，由输入波导，输出波导，微腔构成。工作过程：光波由输入波导进入器件，耦合进入微腔，在微腔内传播数千至数万个周期，实现信号延迟，然后由输出波导耦合输出。本发明具有器件工作过程简单...
- 刘光裕宁永强秦莉刘云李特
- 文献传递
- ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响
- 2013年
- GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命。用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响。研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷。在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷。在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命。
- 李再金李特芦鹏王勇李林曲轶薄报学刘国军马晓辉
- 关键词：半导体激光器GAAS表面ZNSE
- 定位生长量子点的金字塔形衬底的制备
- 2017年
- 在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长,该方法易于制备和隔离单光子源量子点。利用金字塔形衬底不但可以解决多个量子点占据同一个位置的问题,而且在金字塔形衬底上制备的量子点有利于光子的发射和收集。
- 李占国王勇尤明慧高欣李再金李特刘国军曲轶
- 关键词：光学设计量子点
- 自绝缘氧化限制型850nm垂直腔面发射激光器
- 2011年
- 介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径,自绝缘工艺。采用该工艺制作了氧化限制型850nm VCSELs。详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程,并对侧氧化相关参数进行了实验研究。在此基础上,制备了不同出光孔径的850nm VCSELs器件,测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10mW,微分量子效率达到43%。对不同出光孔径的器件输出特性进行了对比,并分析了产生输出特性差异的原因。
- 李特郝二娟王勇芦鹏李再金李林曲轶刘国军
- 关键词：NM功率
- LD端面泵浦单频调Q激光器的研制被引量：10
- 2007年
- 用激光二极管(LD)泵浦Nd∶YVO4晶体,采用四镜环形腔结构,腔内放置由法拉第旋光器和λ/2波片及布氏片组成的光学单向器,实现了稳定的1064nm单频激光的输出,在腔内插入Cr4+∶YAG晶体时,获得了脉宽为100ns、重复频率为21kHz的单纵模被动调Q激光输出。
- 郝二娟檀慧明李特钱龙生
- 关键词：ND:YVO4单频被动调Q
- 一种锥形激光器输出端面减反膜镀制方法
- 一种锥形激光器输出端面减反膜镀制方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术采用电子束蒸发或气相沉积单层或多层薄膜材料进行镀制，工艺复杂，重复性差，且需要单独的钝化工艺进行输出端面钝化处理。本发明之锥形激光器输出端...
- 薄报学高欣乔忠良张晶李辉李特曲轶
- 文献传递
- 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器
- 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q...
- 张斯钰乔忠良薄报学高欣曲轶李辉王玉霞李占国芦鹏王勇李特李再金邹永刚李林刘国军
- 农业院校大学物理实验教学改革实践与分析被引量：2
- 2011年
- 针对目前农业院校大学物理实验教学现状以及存在的主要问题,结合本校的物理实验教学的实际情况,提出了"以学生为主体"的大学物理实验教学改革的相关措施和方法,以进一步推动大学物理实验的教学改革。
- 郝二娟李特
- 关键词：物理实验教学改革
- 一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构，主要包括：衬底层1，缓冲层2，N型包覆层3，下波导层4，有源区5，上波导层6，P型包覆层7，过渡层8，P型接触层9，脊型台面10，电流限制沟道...
- 李特李再金郝二娟王钰智芦鹏乔忠良邹永刚赵英杰刘国军马晓辉
- 高功率1060nm半导体激光器波导结构优化被引量：10
- 2012年
- 针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,并设计了非对称、宽波导结构.对不同模式的限制因子进行了计算,结果表明,优化后的非对称波导结构能够在降低基模的限制因子的同时,增加高阶模式的损耗.
- 李特郝二娟李再金王勇芦鹏曲轶
- 关键词：高功率半导体激光器
