段俐宏
- 作品数：29 被引量：50H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术经济管理更多>>
- 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长
- 2002年
- 利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生长温度可以提高 Al Ga
- 冯志宏杨辉徐大鹏赵德刚王海段俐宏
- 关键词：MOCVD立方相砷化镓铝镓氮
- Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2
- 2003年
- 在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 .
- 张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉
- 关键词：GANPT肖特基接触退火MOVPE
- 立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究被引量：1
- 1998年
- 利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )衍射的FWHM(半峰宽 )为 40min ,其PL谱的FWHM为 1 2nm ,实现了高晶体质量和高光学质量的一致性 .这也是首次报道 1 5 μm以上立方相GaN外延膜光荧光的发光情况 .同时还用X射线三轴晶衍射估算了薄膜内应变和晶粒尺寸 .
- 徐大鹏王玉田杨辉郑联喜李建斌段俐宏吴荣汉
- 关键词：MOCVD砷化镓立方相
- Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
- 本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
- 张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生
- 关键词：紫外探测器光谱响应特性
- 文献传递
- Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析被引量：1
- 1996年
- 采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X+和CsX+信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX+可以提供更准确的结果和成分信息。
- 陈维德陈春华谢小龙段俐宏
- 关键词：二次离子质谱欧姆接触砷化镓
- 立方相氮化镓发光材料和器件
- 杨辉张书名郑联喜徐大鹏王玉田冯志宏赵德刚朱建军李顺峰段俐宏王海孙小玲
- 该项目在国际上率先开发出具有潜在优势的立方相氮化镓蓝色LED。六方相h-GaN主要是用兰宝石和SiC做衬底。兰宝石衬底硬度高、不导电，这对随后的器件工艺造成很大困难，器件成品率极低。难于解理激光器腔面的问题更影响了它的应...
- 关键词：
- 关键词：氮化镓立方相MOCVD
- 利用快速热退火在n－GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触被引量：1
- 1996年
- 利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～１０－６Ω·ｃｍ２．接触层的表面光滑、界面平整．利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理．
- 陈维德谢小龙崔玉德段俐宏许振嘉
- 关键词：热退火欧姆接触半导体器件
- 氮化镓基篮绿色发光二极管(LED)中游工艺技术产业化
- 杨辉张书明段俐宏王海李秉臣王胜国张双益章裕中吴启全胡德进
- 该项目设计和建设了一条全新的生产线，利用快速退火方法解决了氮化镓的P型活化的产业化技术难题；采用特殊工艺技术制作的P型层透明电极其光的透过率大于70%，满足欧姆接触的要求；在蓝宝石衬底减薄工艺技术中，采用研磨抛等工艺步骤...
- 关键词：
- 关键词：氮化镓
- 电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用被引量：2
- 1996年
- 采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫钝化的影响．结果表明，硫钝化ＩｎＰ表面经电子束辐照可以促使Ｓ与ＩｎＰ中的Ｉｎ更好的化合．
- 陈维德李秀琼段俐宏谢小龙
- 关键词：电子束辐照磷化铟硫钝化表面处理
- GaN基紫外探测器的研究与制备(英文)
- 2001年
- 报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p GaN/InGaN/n GaN结构紫外探测器。我们对器件进行了测试分析。根据器件光伏信号强度和相位的测量结果 ,我们得到了该器件的能带结构图。我们还发现Ni/Au电极与p GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性。该探测器在入射光波长为 375nm处的响应度大约为 7 4× 1 0 -3 A/W。
- 杨辉赵德刚张书明朱建军冯志宏段俐宏刘素英
- 关键词：GAN紫外探测器MOCVD
