牛俊杰
- 作品数：12 被引量：13H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 纳米磁性网络结构薄膜的制作方法
- 本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1)把99.99％的铝箔退火；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化；3)清洗；4)二次氧化；5)除去未被氧化的铝；6)清洗；7)沉积铁、镍；8退火。本发明的优点是：1)制备简单...
- 沙健勇本收杨德仁张年生牛俊杰
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- 硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能被引量：9
- 2005年
- 硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能 .
- 杨德仁牛俊杰张辉王俊杨青余京马向阳沙健阙端麟
- 关键词：硅基纳米线半导体光电子材料
- 纳米硅管的制备方法
- 本发明提供的纳米硅管的制备方法是采用化学气相沉积法,它包括以下步骤:1)制备具有数个纳米尺寸孔径的氧化铝模板;2)用磁控溅射法对氧化铝模板的一个平面镀膜,镀膜材料为三、五族元素或过渡金属元素或金,镀膜厚度为1～10000...
- 杨德仁沙健牛俊杰马向阳阙端麟
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- 纳米硅管的制备方法
- 本发明提供的纳米硅管的制备方法是采用化学气相沉积法，它包括以下步骤：1)制备具有数个纳米尺寸孔径的氧化铝模板；2)用磁控溅射法对氧化铝模板的一个平面镀膜，镀膜材料为三、五族元素或过渡金属元素或金，镀膜厚度为1～10000...
- 杨德仁沙健牛俊杰马向阳阙端麟
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- 光电子领域中的纳米半导体材料被引量：4
- 2002年
- 近年来,纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意。由于纳米半导体材料的量子限域效应、尺寸效应等影响使得它们在光电转移、电子器件等方面有着优异的性能,必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用。详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史,研究情况以及存在的问题等。
- 牛俊杰沙健马向阳张辉杨青杨德仁
- 关键词：光电子领域纳米半导体材料光电转换纳米硅光电子器件光电材料
- 一维纳米硅材料的制备与性能研究
- 近年来，一维纳米半导体材料由于其特殊的物理性质被人们广泛地研究。而作为现代微电子产业基础的硅材料，其一维纳米尺寸(纳米硅线、管)的材料制备和性能研究更是引起了人们的兴趣。
本论文通过CVD、热蒸发等方法，制备了...
- 牛俊杰
- 关键词：化学气相沉积RAMAN散射半导体材料
- 纳米硅丝和纳米硅管的制备和性能
- 半导体硅是一种非常重要的微电子基础材料,在微电子器件各个方面都有广泛地应用。当硅材料的尺寸到了纳米级以后,由于量子限域效应、尺寸效应等影响,它在整流性能、禁带宽度、发光、光电转换、电磁学等方面表现出与通常硅材料不同的性能...
- 牛俊杰沙建马向阳杨德仁
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- 纳米硅管
- 使用模板和化学气相沉积技术,我们成功获得纳米硅管.其直径约为60纳米,长度约为5微米.管壁结构大部分为多晶.
- 沙健牛俊杰马向阳徐进杨青杨德仁张孝彬
- 关键词：纳米材料
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- 介孔网络电路的制作方法
- 本发明公开了一种介孔网络电路的制作方法。其方法步骤如下：1)把99.99％的铝箔退火：把铝箔剪成适当大小，然后在500℃下退火3小时；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化：草酸浓度为0.3ml，氧化时间为3小时；3)清洗：放...
- 沙健张年生勇本收杨德仁牛俊杰
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- 基于水印的图像认证算法研究与应用
- 随着网络的发展，在多媒体信息极大丰富的同时，多媒体信息特别是图像的保护成为计算机领域的一个重要研究方向。图像保护一般来说有两方面含义：第一指图像的版权保护，维护图像著作者的版权利益;第二指保护图像免于恶意性修改，保护图像...
- 牛俊杰
- 关键词：图像认证数字签名脆弱水印版权保护
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