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王晓磊

作品数：107 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 102篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 33篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 62篇半导体
  • 45篇半导体器件
  • 23篇界面层
  • 21篇金属栅
  • 20篇栅极
  • 18篇阈值电压
  • 17篇导体
  • 16篇介质层
  • 16篇晶体管
  • 16篇衬底
  • 13篇退火
  • 13篇沟道
  • 13篇半导体结构
  • 12篇纳米
  • 11篇迁移率
  • 10篇栅极结构
  • 10篇纳米线
  • 10篇金属
  • 10篇刻蚀
  • 9篇氧化层

机构

  • 107篇中国科学院微...
  • 2篇常州工学院

作者

  • 107篇王晓磊
  • 92篇王文武
  • 51篇马雪丽
  • 41篇韩锴
  • 40篇杨红
  • 30篇李永亮
  • 26篇陈大鹏
  • 18篇项金娟
  • 18篇陈世杰
  • 16篇罗军
  • 13篇李俊峰
  • 9篇贺晓彬
  • 8篇赵超
  • 7篇殷华湘
  • 6篇李俊杰
  • 4篇闫江
  • 3篇张青竹
  • 2篇叶甜春
  • 2篇熊文娟
  • 2篇唐波

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇前瞻科技

年份

  • 9篇2024
  • 9篇2023
  • 13篇2022
  • 5篇2021
  • 14篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 10篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
  • 16篇2011
  • 1篇2010
共 107 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件及其制造方法
本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括衬底，所述衬底具有源极、漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区；位于所述沟道区远离所述衬底一侧的铁电层，所述铁电层的材料为HfLaO；位于所述铁电层远离所述衬底一侧的栅金属...
王晓磊胡涛王文武徐昊柴俊帅
一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件及制备方法
本发明提供一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件的制备方法，包括，在衬底上形成由牺牲层和第一外延层组成的叠层；去除第二区域的叠层后填充第二外延层；经过刻蚀在第一区域和第二区域分别形成第一鳍部和第二鳍部；在第一鳍部和第二鳍...
李永亮杨红程晓红王晓磊马雪丽王文武
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，在确保半导体器件中，形成在不同类阈值调控区域的晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各晶体管所包括的沟道区中的缺陷。所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底。衬底具...
李永亮程晓红马雪丽杨红王晓磊王文武
文献传递
一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法
本发明公开了一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，其包括N阱区和P阱区；在半导体衬底上制备纳米线或片沟道；在纳米线或片沟道上形成栅极介质层，并在N阱区和P阱区的栅极介质层上依次形成第一金属...
李永亮程晓红马雪丽王晓磊杨红王文武
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极；在所述栅电极上形成金属氧吸除层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属氧吸除层吸除界...
韩锴王文武王晓磊陈世杰陈大鹏
文献传递
一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法
本发明公开了一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，是在栅极替代工艺(Replacement gate或Gate last)制备CMOS晶体管过程中，采用金属材料形成替代栅(假栅)，例如TiN和W等，这些材料的形成中...
王文武韩锴王晓磊马雪丽陈大鹏
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半导体结构与其制作方法
本申请提供了一种半导体结构与其制作方法，该制作方法包括：在衬底上依次设置多个应变缓冲层，各应变缓冲层的材料为SiGe，任意相邻的两个应变缓冲层中，与衬底之间距离大的应变缓冲层中Ge的重量含量大于另一个应变缓冲层中Ge的重...
李永亮王晓磊杨红马雪丽李超雷王文武
文献传递
一种半导体结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层。其中，界...
马雪丽李永亮王晓磊项金娟杨红王文武
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一种制造半导体器件的方法
本发明提供了一种制造半导体器件的方法。在金属栅电极材料沉积后，淀积一层对氧分子具有催化功能的氧分子催化层，之后采取低温PMA退火工艺将退火氛围中的氧分子分解为更具活性的氧原子。这些氧原子透过金属栅扩散进高k栅介质薄膜中，...
王文武陈世杰王晓磊韩锴陈大鹏
一种堆叠纳米线及其制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上制备堆叠纳米线；在所述堆叠纳米线上沉积半导体薄膜，其中，所述半导体衬底的第一半导体材料与所述半导体薄膜的第二半导体材料不相同；对所述堆叠纳米...
马雪丽王晓磊王文武
文献传递
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