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范鹏辉

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：大连理工大学更多>>
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合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇电感耦合
  • 2篇电感耦合等离...
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇散射
  • 2篇离子
  • 2篇拉曼
  • 2篇拉曼散射
  • 2篇溅射
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体辅助
  • 1篇等离子体源
  • 1篇溅射法
  • 1篇光谱
  • 1篇红外

机构

  • 2篇大连理工大学
  • 1篇教育部

作者

  • 2篇苏元军
  • 2篇朱明
  • 2篇范鹏辉
  • 2篇徐军
  • 1篇董闯

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇真空

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积被引量：3
2012年
本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征.详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用,并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法,对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.
苏元军徐军朱明范鹏辉董闯
关键词：多晶硅薄膜电感耦合等离子体磁控溅射拉曼散射
等离子体源辅助磁控溅射法低温(200℃)制备多晶硅薄膜被引量：1
2012年
利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜。详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率对硅薄膜结晶度的影响进行了研究。利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征。
朱明苏元军范鹏辉徐军
关键词：多晶硅薄膜电感耦合等离子体磁控溅射拉曼散射红外光谱
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