- SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究被引量：1
- 2007年
- 利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiO2低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现—CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当SiOC薄膜表面吸附多个水分子,并且水分子以二聚物形式存在时,吸水反应的势垒明显降低.
- 孙亮朱莲薛原丁士进张卫
- 关键词：SIOC密度泛函理论
- 高介电常数HfO_2栅介质的制备及性能被引量：8
- 2009年
- 氧化铪(HfO2)介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点。比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备HfO2介质材料的最好方法之一。
- 薛原徐赛生董琳丁士进张卫
- 关键词：氧化铪介质材料原子层淀积
- SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究
- 利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiOz低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现-CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分...
- 孙亮朱莲薛原丁士进张卫
- 关键词：密度泛函理论互连线
- 文献传递
- 原子层淀积超薄TiN和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜理论及基于硒纳米线的MOS器件研究
- 自从1958年第一块集成电路问世以来,微电子技术的发展非常迅速。微电子技术的发展目标是不断提高集成系统的性能和性能价格比,提高芯片的集成度,这是不断缩小半导体器件特征尺寸的动力源泉。为了提高性能和降低成本,50多年来集成...
- 薛原
- 关键词：原子层淀积高K栅介质密度函数理论
- 原子层淀积超薄TiN和Al2O3薄膜理论及基于硒纳米线的MOS器件研究
- 自从1958年第一块集成电路问世以来,微电子技术的发展非常迅速。微电子技术的发展目标是不断提高集成系统的性能和性能价格比,提高芯片的集成度,这是不断缩小半导体器件特征尺寸的动力源泉。为了提高性能和降低成本,50多年来集成...
- 薛原
- 关键词：原子层淀积高K栅介质密度函数理论
- 文献传递
