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陈智颖

作品数：5 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇性能研究
  • 3篇金刚石薄膜
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶金刚石薄...
  • 3篇FAD
  • 2篇电子发射
  • 1篇碳氮薄膜
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇NI
  • 1篇SI
  • 1篇场电子发射
  • 1篇场致电子发射

机构

  • 5篇中国科学院上...

作者

  • 5篇柳襄怀
  • 5篇陈智颖
  • 4篇杨石奇
  • 4篇王曦
  • 4篇赵建平
  • 4篇施天生
  • 1篇王效东
  • 1篇俞跃辉
  • 1篇王渭源
  • 1篇周祖尧

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇第四届全国微...

年份

  • 1篇2000
  • 4篇1997
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究被引量：4
1997年
利用真空磁过滤弧沉积技术制备出一种高ｓｐ３含量的非晶碳膜———非晶金刚石薄膜，并对这种非晶金刚石薄膜的场电子发射特性及其发射机理进行了研究．实验结果表明，在阈值电场低于２０Ｖ／μｍ情况下，得到的场发射电流达２０—４０μＡ，薄膜的电子发射行为符合ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ场发射理论．研究表明。
赵建平王曦陈智颖杨石奇柳襄怀施天生
关键词：非晶金刚石薄膜场致电子发射
Si,Ni和Cu衬底上沉积非晶金刚石薄膜的摩擦和磨损性能(摘要)
本文报告了用真空磁过滤弧沉积技术(FAD)在Si,Ni和Cu衬底上沉积非晶金刚石薄膜(a-D)及其摩擦和磨损性能的研究结果.
王效东陈智颖柳襄怀王渭源
关键词：非晶金刚石薄膜
文献传递
非晶金刚石薄膜的制备及其性能研究被引量：9
1997年
本文利用一种新的等离子体沉积技术—真空磁过滤弧沉积（ＦＡＤ）制备得到一种无氢的非晶碳膜。ＥＥＬＳ分析表明，这种非晶碳膜几乎不含有ｓｐ２和ｓｐ杂化键，呈现出高度的金刚石特征，以致可以被称为非晶金刚石（ａＤ）膜。应用紫外透射光谱（ＵＶ）、红外反射光谱以及椭偏测量等方法对ａＤ膜的光学性能进行了测量。利用显微力学探针、Ｘ射线双晶衍射、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）技术和ＥＥＬＳ分析等多种测量手段对ａＤ的超显微硬度、应力以及密度等力学和结构特性进行了定量分析。另外，对这种ａＤ膜的场电子发射性能也进行了研究。
赵建平王曦陈智颖杨石奇柳襄怀施天生
关键词：FAD
真空磁过滤弧沉积碳氮薄膜的研究被引量：2
1997年
本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ（１１１）、石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮（ＣＮｘ）薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。用紫外－可见透射光谱与红外反射光谱研究了薄膜的光学性能。结果表明：随着薄膜中氮含量的增加，碳氮薄膜的光学禁带宽度减小，红外反射率增加。另外，就不同氮气分压对薄膜结构的影响进行了研究。
陈智颖俞跃辉赵建平王曦周祖尧杨石奇柳襄怀施天生
关键词：光学性能碳氮薄膜FAD
FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究被引量：1
1997年
利用真空磁过滤弧沉积(FAD)技术制备得到了无氢的非晶碳膜.由于非晶碳膜中数量极高的四面体键(sp^3键)的存在,这种非晶碳膜也可被称作非晶金刚石薄膜.报道了这种非晶金刚石膜的场电子发射特性,并对其能带结构和发射机理进行了研究.实验结果表明,在阈值电场为15V/μm的情况下,测得的场发射电流超过20μA,薄膜的电子发射行为符合Fowler-Nordheim场发射理论.非晶金刚石膜具有负电子亲合势和较小的有效功函数.如此低的阈值电场和高的发射电流,表明这种非晶金刚石薄膜的场电子发射性能已达到甚至超过目前文献上报道的最好结果。
赵建平王曦陈智颖杨石奇柳襄怀施天生
关键词：非晶金刚石薄膜场电子发射
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