顾怀怀
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：上海市科委重大科技攻关项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 金属纳米晶存储器件数据保持能力建模与验证被引量：1
- 2008年
- 金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严重削弱器件数据保持能力。在综合考虑金属纳米晶量子限制效应和库仑阻塞效应的基础上,提出了金属纳米晶存储器件数据保持能力分析模型,并通过与相关研究文献的实验数据对比分析,证实了本模型的合理性。
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- 关键词：金属纳米晶存储器库仑阻塞
- DFT方法研究掺杂氮化硅对SONOS器件保持性能的作用被引量：2
- 2007年
- 可通过对氮化硅层掺杂来改变俘获电荷的缺陷种类和数量的方法,改善SONOS非挥发性存储器件的保持性能.建立无定形氮化硅和氧、硫、磷、氟或氯掺杂氮化硅中缺陷的簇模型;根据第一性原理的密度泛函理论(DFT),对缺陷的簇模型结构优化并计算能量,得到缺陷俘获电荷过程的能量变化.发现缺陷俘获电子的能力比俘获空穴的能力好,电子释放过程应对温度敏感,而空穴释放过程主要由隧穿机理控制.预测与氧氮化硅一样,硫或磷掺杂氮化硅代替氮化硅作为SONOS器件的电荷储存层,可改善器件的保持性能.
- 房少华程秀兰黄晔顾怀怀
- 关键词：密度泛函理论掺杂
- 金属纳米晶非挥发存储器存储特性的模拟
- 当集成电路生产工艺节点进入50nm以下，传统浮栅结构的编程擦除速度和数据保持能力已经无法同时满足非挥发存储应用的要求。金属纳米晶存储器具有更高的速度和更好的可靠性，它将成为一种下一代浮栅结构非易失存储器件的有力替代者。因...
- 顾怀怀
- 关键词：金属纳米晶
- 文献传递
- 基于镓掺杂Ga<Sub>3</Sub>Sb<Sub>8</Sub>Te<Sub>1</Sub>相变存储单元及其制备方法
- 一种微电子技术领域的基于镓掺杂Ga<Sub>3</Sub>Sb<Sub>8</Sub>Te<Sub>1</Sub>相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括：硅衬底、上下电极、加热层、相变材料和绝缘介质层，所述相变材...
- 程秀兰尹文顾怀怀
- 文献传递
