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魏杰

作品数：161 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 155篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 81篇电子电信

主题

  • 69篇导通
  • 44篇损耗
  • 38篇电阻
  • 37篇关断
  • 35篇关断损耗
  • 32篇导通电阻
  • 32篇半导体
  • 31篇二极管
  • 30篇功率器件
  • 25篇导通压降
  • 21篇续流
  • 21篇LIGBT
  • 20篇漂移区
  • 19篇HEMT器件
  • 18篇电场
  • 18篇槽栅
  • 17篇场板
  • 16篇增强型
  • 16篇势垒
  • 15篇耐压

机构

  • 161篇电子科技大学
  • 4篇重庆中科渝芯...
  • 3篇电子科技大学...

作者

  • 161篇魏杰
  • 152篇罗小蓉
  • 62篇张波
  • 48篇孙涛
  • 32篇周坤
  • 28篇杨超
  • 27篇张成
  • 20篇吴俊峰
  • 19篇邓高强
  • 16篇尹超
  • 15篇彭富
  • 14篇李杰
  • 13篇李肇基
  • 13篇张彦辉
  • 12篇李鹏程
  • 11篇苏伟
  • 10篇张森
  • 10篇范远航
  • 8篇刘建平
  • 8篇李聪聪

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 6篇2024
  • 28篇2023
  • 21篇2022
  • 27篇2021
  • 12篇2020
  • 9篇2019
  • 10篇2018
  • 10篇2017
  • 14篇2016
  • 9篇2015
  • 9篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 161 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件
一种具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的基础上，通过将普通槽栅延伸至漏端，形成U型延伸栅，并在有源层中引入介质槽，介质槽中填充材料的介电系数低于有源层的介电系...
罗小蓉田瑞超徐菁石先龙李鹏程魏杰张波
文献传递
一种槽型积累层MOSFET器件
一种槽型积累层MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在纵向MOSFET器件的源漏之间的漂移区中引入介质槽，槽内填充介电常数较小的介质材料；介质槽被第二导电类型重掺杂栅端欧姆接触区、第二导电类型高阻区、第一导...
罗小蓉李鹏程田瑞超石先龙罗尹春周坤魏杰张波
文献传递
一种横向功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种横向功率器件。本发明主要特征在于：漂移区表面的场板结构采用凸出形状，优化漂移区长度。正向导通时，栅结构与场板结构下方的漂移区表面产生连续的电子积累层，形成积累型输运模式，以降低器件比...
魏杰李杰戴恺纬马臻李聪聪罗小蓉
文献传递
一种横向SOI功率LDMOS器件
一种横向SOI功率LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。器件包括衬底、介质埋层及其上的半导体有源层，半导体有源层中形成槽型辅助积累结构，槽型辅助积累结构两侧为漂移区。槽型辅助积累结构由两层槽型隔离介质中间夹一层半导...
罗小蓉田瑞超魏杰李鹏程徐青石先龙尹超张波
文献传递
一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法。该制造方法中，先在Uid‑GaN层上外延介质并结合光刻、刻蚀工艺形成介质硬掩膜，在此结构上选择性外延生长P‑GaN层和P<Sup>...
罗小蓉赵智家魏杰谢欣桐孙涛邓思宇贾艳江薛刚
一种集成栅极电荷泄放电路的GaN HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成栅极电荷泄放电路的GaN HEMT器件。本发明主要基于二极管的反向阻断，利用GaN HEMT的栅源短接形成的二极管结构形成二极管并联结构进行分压，以此触发泄放GaN HEMT...
罗小蓉杨铖张鹏飞骆成涛赵智家邓高强魏杰
一种具有多浮空场板和集电极PMOS结构的功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场和集电极PMOS结构的功率器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性PMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端PMOS沟道关闭，集电极端电...
魏杰李杰戴恺伟马臻杨可萌罗小蓉
一种具有自适应性的SOI LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有自适应性的SOI LIGBT器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性NMOS结构，发射极端引入齐纳二极管结构。正向导通时，集电极端NMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路...
魏杰郗路凡马臻罗小蓉张波
文献传递
一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤吕孟山田瑞超张波
文献传递
一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，...
罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波
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