黄宇健
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.
- 许军黄宇健丁士进张卫
- 关键词：HFO2薄膜电极
- 高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器的制备方法
- 本发明属半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属/绝缘体/金属(MIM)电容器的制备方法，该电容器以原子层淀积方法制备的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/H...
- 丁士进黄宇健张卫
- 文献传递
- 表面后处理对原子层淀积HfO2介质的高密度MIM电容性能改善研究
- 本文采用原子层淀积(ALD)技术,以四(乙基甲胺基)铪(TEMAH)与去离子水(H2O)为反应源,制备了高介电常数HfO2介质薄膜,研究了各种表面后处理方法对HfO2介质金属一绝缘体一金属(MIM)电容的性能改进,通过物...
- 黄宇健
- 关键词：原子层淀积
- 文献传递
- 高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器及其制备方法
- 本发明属半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属/绝缘体/金属(MIM)电容器及其制备方法，该电容器以原子层淀积方法制备的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/...
- 丁士进黄宇健张卫
- 文献传递
- 表面后处理对原子层淀积HfO<sub>2</sub>介质的高密度MIM电容性能改善研究
- 本文采用原子层淀积（ALD）技术,以四（乙基甲胺基）铪（TEMAH）与去离子水（H<sub>2</sub>O）为反应源,制备了高介电常数HfO<sub>2</sub>介质薄膜,研究了各种表面后处理方法对HfO<sub>2...
- 黄宇健
- 关键词：原子层淀积等离子体处理
