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于志鹏

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：黑龙江大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 8篇磁敏感
  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇磁场
  • 4篇介质隔离
  • 3篇原位掺杂
  • 3篇三维磁场
  • 3篇矢量
  • 3篇矢量传感器
  • 3篇自动化
  • 3篇自动化控制
  • 3篇芯片
  • 3篇纳米硅
  • 3篇纳米硅薄膜
  • 3篇集成传感器
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇发生器
  • 3篇负载电阻
  • 3篇测试台

机构

  • 14篇黑龙江大学

作者

  • 14篇于志鹏
  • 13篇温殿忠
  • 13篇赵晓锋
  • 3篇王颖

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种空间磁场矢量传感器及其制作工艺方法
本发明公开了一种空间磁场矢量传感器及其制作工艺方法，所述传感器包括第一磁敏感结构和第二磁敏感结构，第二磁敏感结构设置在第一磁敏感结构中，二者的磁敏感方向正交且磁敏感中心重合。其中，所述第一磁敏感结构由磁敏三极管及负载电阻...
赵晓锋柳微微于志鹏温殿忠
文献传递
一种空间磁场发生器装置及空间磁场产生方法
本发明公开了一种空间磁场发生器装置以及采用其的空间磁场产生方法，该装置包括磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)，所述磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)...
赵晓锋柳微微钱程于志鹏温殿忠
一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺
本发明公开了一种全介质隔离硅磁敏三极管及其制作工艺，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅(1)、衬底硅(2)和埋层二氧化硅(3)，在器件硅(1)上设置有硅磁敏三极...
赵晓锋李苏苏于志鹏温殿忠
一种磁场/加速度集成传感器和集成化工艺方法
本发明公开了一种磁场/加速度集成传感器和集成化工艺方法，所述传感器包括设置在同一芯片上的磁场传感器和加速度传感器，磁场传感器磁敏感单元包括硅磁敏三极管和霍尔磁场传感器，其中，霍尔磁场传感器以原位掺杂纳米硅薄膜nc‑Si:...
赵晓锋王颖于志鹏温殿忠
文献传递
一种磁场/加速度集成传感器
本实用新型公开了一种磁场/加速度集成传感器，所述传感器包括设置在同一芯片上的磁场传感器和加速度传感器，磁场传感器磁敏感单元包括硅磁敏三极管和霍尔磁场传感器，其中，霍尔磁场传感器以原位掺杂纳米硅薄膜nc‑Si:H(n<Su...
赵晓锋王颖于志鹏温殿忠
文献传递
一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及制作工艺方法
本发明提供了一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及其制作工艺方法，该结构包括SOI器件硅层内引线、SiO<Sub>2</Sub>介质隔离环和磁敏感区等，通过器件硅层内引线将发射极E从器件硅层的下表面引至器件硅层的上表面，...
赵晓锋车昊阳于志鹏温殿忠
文献传递
一种全介质隔离硅磁敏三极管
本实用新型公开了一种全介质隔离硅磁敏三极管，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅(1)、衬底硅(2)和埋层二氧化硅(3)，在器件硅(1)上设置有硅磁敏三极管，介质...
赵晓锋李苏苏于志鹏温殿忠
文献传递
一种空间磁场矢量传感器
本实用新型公开了一种空间磁场矢量传感器，所述传感器包括第一磁敏感结构和第二磁敏感结构，第二磁敏感结构设置在第一磁敏感结构中，二者的磁敏感方向正交且磁敏感中心重合。其中，所述第一磁敏感结构由磁敏三极管及负载电阻构成的两对差...
赵晓锋柳微微于志鹏温殿忠
文献传递
一种空间磁场发生器装置
本实用新型公开了一种空间磁场发生器装置，该装置包括磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)，所述磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)均由控制单元控制，以实现...
赵晓锋柳微微钱程于志鹏温殿忠
一种空间磁场发生器装置及空间磁场产生方法
本发明公开了一种空间磁场发生器装置以及采用其的空间磁场产生方法，该装置包括磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)，所述磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)...
赵晓锋柳微微钱程于志鹏温殿忠
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