何庆波
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
- 供职机构：上海应用技术学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教委科研基金上海市教育委员会创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 高温溶液中ZnO的析晶行为与晶体生长研究
- 2008年
- 采用MoO3、V2O5和PbF2为助熔剂,在坩埚下降法生长炉中研究了ZnO的析晶行为和晶体生长。结果表明,对于MoO3-ZnO高温溶液体系,下降或降温过程中首先析出ZnO,但随着温度继续下降,析出了ZnMoO4晶体;对于V2O5-ZnO体系,通气速率为1.5 L/min时底部出现5 mm厚的绿色ZnO多晶,无法获得单晶;对于PbF2-ZnO体系,自发成核获得了10 mm×10 mm×0.7 mm的ZnO晶体薄片,在2 L/min通气速率下诱导成核生长出25 mm×5 mm的ZnO单晶。
- 何庆波李新华徐家跃
- 关键词：ZNO单晶晶体生长助熔剂坩埚下降法
- 坩埚下降法生长硅酸铋闪烁晶体(英文)被引量：9
- 2009年
- 采用改进型坩埚下降法,从富Bi的高温熔体中生长了硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体,研究了BSO晶体的析晶行为。透明晶体最大尺寸达到30mm×30mm×35mm,晶体具有良好的光学均匀性,在350～900nm波段透过率保持在约80%。相对锗酸铋(Bi4Ge3O12,BGO)晶体,BSO闪烁晶体具有快的衰减时间,有望用于能量范围在几百MeV的4π电磁量能器。
- 徐家跃王红何庆波申慧清水肇向卫东
- 关键词：硅酸铋晶体坩埚下降法闪烁体
- 氧化锌晶体下降法生长及Mn掺杂研究
- 随着短波长光学器件及高能高频电子设备需求的口益增长，半导体材料研究逐渐从传统第I、II代半导体转向宽禁带半导体。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子漂移速度高和热导率大等优点，非常适合于制作高频、大功率和...
- 何庆波
- 关键词：氧化锌晶体晶体生长锰掺杂磁学性能
- LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文)被引量：4
- 2012年
- 采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。
- 金敏徐家跃房永征何庆波周鼎申慧
- 关键词：GAAS晶体生长坩埚下降法孪晶
- 坩埚下降法生长La_2Ti_2O_7晶体及其光性能研究(英文)被引量：1
- 2011年
- 采用高温坩埚下降法生长La2Ti2O7晶体,获得的晶体尺寸约为18 mm×12 mm×10 mm,其表面出现了一系列(004)解理面。X射线双摇摆曲线表明该晶体具有良好的结晶质量。透过光谱显示退火后的La2Ti2O7晶体在可见光范围内是透明的,当波长在800 nm左右时,透过率将显著下降。La2Ti2O7晶体的吸收边出现在500 nm波长附近。光折射指数分析表明退火La2Ti2O7晶体具有高的折射率。折射率色散方程确定为n2(λ)=4.61643+0.16198/(λ2-0.01547)-0.47201λ2,利用该公式可计算出300～1680 nm范围内任意波长下的折射指数n值。
- 金敏吴宪君李新华何庆波申慧徐家跃
- 关键词：坩埚下降法晶体生长光学性能
