刘彭义
- 作品数：156 被引量：313H指数：9
- 供职机构：暨南大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 一种有机薄膜太阳能电池及其制作方法
- 本发明公开了一种有机薄膜太阳能电池，由多个电池单体在一平面上紧凑排列而成，其特征在于：电池单体的形状为锥体，所述锥体为正三面锥、正四面锥或正六面锥，锥体的内侧面为受光面，每一内侧面都包括一个电池元，该电池元铺满该内侧面。...
- 侯林涛夏玉欣王标刘彭义王二刚甄红宇
- 文献传递
- 用镜像法理论研究带电体电场分布
- 1991年
- 1 泊松方程求解静电场的困难 给定区域V内的电荷分布ρ,给定区域边界S上的电势ф|·或作为区域边界的导体所带的总电荷,由唯一性定理可知,在边界条件下,求解泊松方程△~2ф=-ρ/ε,即可唯一地确定电场。 然而问题并非这样简单,因为电场和电荷是相互作用的统一体。电荷在空间产生电场,电场又作用在电荷上,使电荷发生运动,从而使电荷密度在空间发生变化,因此泊松方程也就复杂了。自由电荷只分布在某些导体的表面,空间中没有其它电荷,选择导体表面作为区域的边界,区域的电荷密度ρ=0,泊松方程变为拉普拉斯方程△~2ф=0,它是容易据边界条件求解的。上述是一种最简单的电荷分布,对于复杂些的电荷分布。
- 刘彭义陈俊芳
- 关键词：镜像法带电体电场分布自由电荷泊松方程唯一性定理
- 纳米微结构在有机和杂化太阳能电池中的应用
- 光吸收与活性层厚度之间的矛盾是制约有机太阳能电池转换效率提高的原因之一。在不增加活性层厚度的情况下设计一些纳米微结构，除正常的光吸收外还能增加额外的光吸收。本文概述了几种常见的纳米微结构在有机和杂化太阳能电池中的应用。
- 田金鹏吴明晓刘彭义
- 关键词：纳米微结构光电转换效率
- 锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响被引量：3
- 2009年
- 采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,当掺杂w(MnO2)=0.2%时,d33和kp均达到最大值,分别为250 pC/N和0.52;而介电损耗tanδ持续下降,机械品质因数Qm则持续上升。当掺杂w(MnO2)=0.5%时,tanδ达到最小值,Qm达到最大值,其值分别为0.004 6和1 434。
- 刘彭义陈亚君祝兰武春红
- 关键词：准同型相界相结构机电性能
- 硅/过渡金属氧化物异质结的构建及其光伏特性研究
- 本研究通过真空热蒸发法制备过渡金属氧化物(包括MoO3-x,V2O5-x,和WO3-x)作为硅异质结太阳能电池的空穴传输层,制备了稳定,高效的新型硅基异质结太阳能电池。通过对硅表面进行甲基化处理,我们在硅/MoO3-x异...
- 梁智敏苏明泽刘彭义谢伟广
- 关键词：过渡金属氧化物
- 文献传递
- 真空气相法制备薄膜阻隔二极管实现钙钛矿光电探测器阵列
- 随着钙钛矿光电探测器的发展,将其集成到阵列图像传感器中是研究人员追求的下一个目标,而像素间的光电串扰是集成钙钛矿光电二极管进行动态成像的主要难点。本文提出了一种具有像素级整流特性的钙钛矿光电二极管-阻隔二极管(PIN-B...
- 詹镇业林东旭谢伟广刘彭义
- 关键词：钙钛矿
- ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管被引量：11
- 2006年
- 采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。
- 仲飞叶勤刘彭义翟琳吴敬张靖垒
- 关键词：有机发光二极管空穴缓冲层电流效率
- 电极/有机界面LiF修饰层在OLED中的双重作用
- 自有机发光二极管(OLED)报道发现以来,通过开发新材料和改变传统器件结构来提高其发光亮度、效率和寿命等特性,已成为目前研究工作的重点。由于 OLED 典型的层状结构中,电极和有机层界面之间存在一定高度的势垒,阻挡着电子...
- 张靖磊刘彭义赵健武春红
- 文献传递
- 大尺寸V<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>单晶片及其制备方法
- 本发明涉及一种大尺寸V<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>单晶片的制备，其先后经历V<Sub>...
- 谢伟广曾文陈楠赖浩杰刘彭义
- 文献传递
- 磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件被引量：5
- 2005年
- 采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。
- 仲飞刘彭义任思雨
- 关键词：磁控溅射有机发光二极管空穴缓冲层
