周国辉
- 作品数：8 被引量：33H指数：4
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 微裂纹愈合过程的分子动力学模拟被引量：10
- 2001年
- 对铝单晶中心贯穿微裂纹的愈合过程进行了分子动力学模拟。结果表明,当加热温度超过临界温度,或外加压应力K_Ⅰ超过临界值时微裂纹将完全愈合。在裂纹愈合过程中伴随着位错的产生和运动,以及李晶和空位的产生及变迁,裂纹愈合的临界温度和裂纹面的相对取向有关;沿滑移面的裂纹最容易愈合。如果晶内预先存在位错(预先塑性变形),则可使裂纹愈合的临界温度明显降低。裂纹愈合的能量关系为πσ~2(1-v^2)/E+TφS/φA ≥2γ+γ_p,其中σ为压应力,T为温度,S为熵,A为裂纹面积,γ为表面能,γ_p为塑变功。
- 周国辉高克玮万发荣乔利杰褚武扬
- 关键词：裂纹愈合临界温度位错热扩散
- 液体金属吸附促进位错发射的分子动力学研究被引量：6
- 2000年
- 用第一原理算出 Ｒｏｓｅ方程中的参量后，利用陈氏反演原理可以求出 Ａｌ－Ｇａ和 Ｃｕ－Ｇａ 的对势；从而可研究Ａｌ和Ｃｕ裂纹表面吸附液体金属Ｇａ之后对裂尖发射位错的影响． 结果表明，Ａｌ吸附Ｇａ后可使发射位借的临界应力强度因子从Ｋ_（Ｉｅ）＝０．５ＭＰａｍ^（１／２）降为 Ｋ_（Ｉｅ）＝０．４ＭＰａｍ^（１／２）；对Ｃｕ则从Ｋ_（Ｉｅ）＝０．５５ＭＰａｍ^（１／２）降为Ｋ_（Ｉｅ）（Ｌ）＝０．４５ＭＰｍ^（１／２），即 Ｇａ吸附后能促进位错的发射．另外，吸附 Ｇａ之后裂尖前方容易产生空位团及 Ｆｒａｎｋ位借。
- 周国辉周富信万发荣褚武扬
- 关键词：分子动力学模拟位错发射镓
- 黄铜静态腐蚀脱Zn层引起拉应力的研究被引量：3
- 1999年
- 研究了黄铜在静态腐蚀过程中表面疏松层的应力状态．通过测量自由端挠度的变化及用 Ｓ Ｅ Ｍ 技术测量脱 Ｚｎ 层的厚度，计算了在脱 Ｚｎ 层和基体界面处产生的拉应力，其稳定值约等于黄铜屈服强度的 １／５．在 Ｓ Ｃ Ｃ 过程中这个附加的拉应力将协助外应力促进位错发射和运动，从而 Ｓ Ｃ
- 吕宏周国辉高克玮褚武扬
- 关键词：黄铜拉应力应力腐蚀
- 温度和加载速率对位错发射影响的原子级模拟被引量：2
- 1997年
- 以Al作为研究对象，采用EAM势实施分子动力学模拟．在Ⅰ型和Ⅱ型加载条件下，研究了温度和取向对位错发射、裂纹脆性及韧性扩展的影响．模拟结果表明，升高温度，发射位错的临界应力强度因子按指数规律降低．加载速率在一定范围内将影响临界应力强度因子．临界应力强度因子随着加载速率的增大而增大．
- 周国辉王东雷黄一中褚武扬周富信
- 关键词：位错发射温度
- 加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响
- 1999年
- 应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下，加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响．结果表明，加载速率对W和Vd有显著影响．随着加载速率的增大，层错宽度减小，位错速度增大．当加载速率达到某一临界值时，能量不仅以发射位错的形式释放，而且形成孪晶，以降低体系的能量．
- 周国辉焦治杰武骏周富信褚武扬
- 关键词：加载速率位错发射
- 氢促进位错发射的分子动力学模拟被引量：8
- 1998年
- 利用第一原理和陈氏三维晶格反演公式获得了Al和H的互作用对势 .分子动力学计算表明 ,当Al晶体中含H时 ,裂尖发射位错的临界应力强度因子从0 .1 1MPam降低为 0 .0 75MPam(CH=0 .72 % )和 0 .0 6MPam(CH=1 .44% ) ,即氢促进了位错的发射 .计算表明 ,氢在裂尖富集后能形成许多小气团 。
- 周国辉周富信赵雪丹张文清陈难先万发荣褚武扬
- 关键词：氢位错发射分子动力学计算机模拟金属
- 液体金属脆机理研究被引量：2
- 1999年
- 从实验和计算两个角度研究液体金属脆机理 .利用第一原理和陈难先三维晶格反演方法获得Al Ga和Ga Ga有效对势 .运用分子动力学研究液态金属吸附对位错发射的影响 .模拟结果表明 ,当Al晶体的裂纹表面吸附Ga原子之后 ,裂尖发射位错临界应力强度因子降低 .发射位错的临界应力强度因子从吸附前的 0 5MPa·m1/ 2降低为 0 .4MPa·m1/ 2 .吸附Ga原子导致临界应力强度因子降低的原因是吸附降低了裂纹的表面能 .同时 ,用自制的恒位移加载台 ,在透射电子显微镜 (TEM)中原位观察了 70 75铝合金吸附液体金属 (Hg + 3%Ga)后加载裂纹前方位错组态的变化以及脆性微裂纹的形核和扩展 .结果表明 :液体金属吸附后能促进位错的发射、增殖和运动 ;当吸附促进位错发射和运动达到临界状态时 ,脆性微裂纹就在原裂纹顶端或在无位错区中形核并解理扩展 .
- 周国辉刘晓敏赵滨乔利杰褚武扬陈难先周富信
- 关键词：应力强度因子液体金属TEM脆断位错发射
- 温度和加载速率影响位错发射的分子动力学模拟被引量：4
- 1999年
- 以A1 作为研究对象,采用EAM 势进行分子动力学模拟.在Ⅰ型和Ⅱ型加载条件下,研究了温度和取向对发射位错的临界应力强度因子的影响.模拟结果表明,裂尖发射位错的临界应力强度因子随温度升高按指数规律降低;
- 周国辉褚武扬周富信
- 关键词：位错发射分子动力学模拟温度加载速率晶体
