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张有润

作品数：126 被引量：100H指数：4
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省“十五”重大科技专项模拟集成电路重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 105篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 3篇电气工程

主题

  • 37篇光电
  • 26篇二极管
  • 25篇碳化硅
  • 23篇电路
  • 22篇半导体
  • 16篇电器
  • 16篇增益
  • 16篇继电器
  • 14篇固体继电器
  • 14篇光电二极管
  • 13篇电流增益
  • 12篇探测器
  • 12篇肖特基
  • 11篇光电探测
  • 11篇光电探测器
  • 11篇发射区
  • 10篇势垒
  • 9篇晶体管
  • 9篇功率半导体
  • 9篇功率半导体器...

机构

  • 126篇电子科技大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇西南技术物理...
  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇中科芯集成电...
  • 1篇东莞电子科技...
  • 1篇国网安徽省电...

作者

  • 126篇张有润
  • 99篇张波
  • 40篇刘影
  • 22篇吴浩然
  • 21篇甄少伟
  • 16篇陈航
  • 14篇刘凯
  • 13篇胡刚毅
  • 10篇王文
  • 9篇郭飞
  • 9篇王帅
  • 9篇孙成春
  • 8篇董梁
  • 8篇张飞翔
  • 8篇李明晔
  • 6篇杨锐
  • 6篇陆超
  • 4篇王均
  • 4篇黄琦
  • 4篇李坤林

传媒

  • 5篇微电子学
  • 5篇电子与封装
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇四川电力技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 4篇2024
  • 7篇2023
  • 8篇2022
  • 11篇2021
  • 8篇2020
  • 12篇2019
  • 9篇2018
  • 14篇2017
  • 14篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 8篇2013
  • 10篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SOI基双向收集光垂直光栅耦合器及工作方法
本发明提供一种兼容传统CMOS工艺的可以垂直耦合的SOI基双向收集光垂直光栅耦合器及其工作方法，属于集成光电子领域和半导体领域，用多模干涉耦合器将光叠加在一起，最终从一个波导中输出光。该光栅耦合器包括：光栅，模斑转换器，...
张有润李逸康孙永明罗京赵乙蔷甄少伟张波
一种光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
一种碳化硅双极结型晶体管
本发明属于高功率半导体器件技术领域，涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明包括从下至上依次层叠设置的集电极、N<Sup>+</Sup>衬底、N<Sup>‑</Sup>集电区和P型基区；所述P型基区的上表面一端具有基极，另一...
张有润王文郭飞钟晓康刘程嗣刘凯
一种双极结型晶体管
本发明涉及一种双极结型晶体管，属于高功率半导体技术领域。本发明主要通过碳化硅和硅的键合，形成了两个异质结面，具体为，P型基区和N+发射区采用键合技术形成异质结，P型基区和N‑集电区采用键合技术形成异质结，异质发射结注入电...
张有润李坤林王帅钟炜陈航杨啸张波
文献传递
一种增强型HEMT器件的制备方法
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种增强型HEMT器件的制备方法。本发明主要利用离子溅射的方式将金属钽溅射至栅区域AlGaN层表面，金属钽与AlGaN层反应生成化合物的同时，会消耗栅区域AlGaN层的厚度。AlGaN层...
张有润庞慧娇施金飞刘影孙成春张波
一种内嵌型集成肖特基沟槽的碳化硅MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种内嵌型集成肖特基沟槽的碳化硅MOSFET器件。本发明采用在源极沟槽多次开孔集成肖特基接触的方式，在不增加器件元胞横向面积的基础上利用肖特基接触为反向恢复提供电流通路，优化了器件的...
张有润黎俞良宋欣蔚王嘉
一种集成沟道二极管的沟槽型4H-SiC MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的沟槽型4H‑SiC MOSFET器件。本发明的MOSFET器件，当器件处于阻断状态时，P型屏蔽区对沟道处及栅氧化层起到保护作用，防止器件提前击穿及有效降低栅氧化层...
张有润龚存昊陈卲桦陈航罗茂久张波
一种基于电容式传感器的微弱信号检测方法
本发明属于电子技术领域，涉及微弱信号检测方法，提供为一种基于电容式传感器的微弱信号检测方法，用于克服现有检测方法检测电路复杂、信号算法复杂及传感器与电路集成差的缺点。本发明基于电容式传感器的微弱信号检测方法，首先将电容式...
张有润龚宏国郭飞张波
文献传递
一种窄脉冲延时电路
一种窄脉冲延时电路，属于模拟集成电路技术领域。包括差分运算放大器、电容、第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和电流镜结构，差分运算放大器的负输入端连接第一PMOS管的栅极并作为延时电路的输入端，其正输入端连接第...
甄少伟路统霄章玉飞周万礼张有润张波
文献传递
固体继电器
本实用新型公开了一种固体继电器，包括，一个发光元件；一个光伏二极管阵列；一个或两个接在继电器输出端子之间的常开型金属氧化物场效应晶体管；还包括，一个由光电三极管组成的加速充电电路，一个由两个PNP三极管、一个NPN三极管...
张有润吴浩然张波
文献传递
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